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1. (WO2018097399) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE À BASE DE BI-TE À DEGRÉ D'OXYDATION RÉGULÉ
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N° de publication : WO/2018/097399 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/001408
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01L 35/34 (2006.01) ,H01L 35/16 (2006.01) ,H01L 35/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
16
comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
18
comprenant de l'arsenic, de l'antimoine, ou du bismuth
Déposants :
희성금속 주식회사 HEE SUNG METAL LTD [KR/KR]; 인천시 서구 가재울로 14 14, Gajaeul-ro Seo-gu Incheon 22828, KR
Inventeurs :
연병훈 YEON, Byeong Hoon; KR
박재성 PARK, Jae-soung; KR
양승호 YANG, Seung Ho; KR
김종배 KIM, Jong-bae; KR
최종일 CHOI, Jongil; KR
손경현 SON, Kyounghyun; KR
황병진 HWANG, Byung Jin; KR
Mandataire :
윤여광 YOON, Yu Kwang; KR
염주석 YEOM, Joo Seok; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-015955428.11.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING BI-TE-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL WITH CONTROLLED DEGREE OF OXIDATION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE À BASE DE BI-TE À DEGRÉ D'OXYDATION RÉGULÉ
(KO) 산화도가 제어된 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method of preparing a Bi-Te-based thermoelectric material. More specifically, the present invention provides a novel preparation method wherein metal ribbons formed through rapid solidification process (RPS) are pulverized into a predetermined shape and size under an inert atmosphere, followed by sintering, thereby maintaining a reduction in thermal conductivity, a high Seebeck coefficient, and electrical conductivity through the control of the degree of oxidation, thus improving thermoelectric characteristics.
(FR) La présente invention concerne un procédé de préparation d'un matériau thermoélectrique à base de Bi-Te. Plus particulièrement, la présente invention concerne un nouveau procédé de préparation dans lequel des rubans métalliques, formés par un processus de solidification rapide (RPS), sont pulvérisés sous une forme et une taille prédéfinies sous une atmosphère inerte, puis subissent un frittage, ce qui permet de maintenir une réduction de la conductivité thermique, un coefficient de Seebeck élevé, et une conductivité électrique par le biais de la régulation du degré d'oxydation, améliorant ainsi les caractéristiques thermoélectriques.
(KO) 본 발명은 Bi-Te계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 급속응고(Rapid Solidification Process: RSP)를 통해 형성된 금속 리본을 비활성 분위기 하에서 소정의 형상과 크기로 분쇄한 후 소결함으로써, 산화도 제어를 통해 열전도도 감소, 높은 제벡계수 및 전기전도도를 유지하여 열전 특성을 향상시킬 수 있는 신규 제조방법을 제공한다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)