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1. (WO2018096980) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE DE TYPE EMPILÉ ET APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/096980    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/040938
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 14.11.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/30 (2006.01), H01L 51/44 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : FURUKAWA Akira; (JP).
ANDO Yoshihiro; (JP).
TOGASHI Hideaki; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; (JP).
YOSHII Masaaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-226658 22.11.2016 JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, STACKED-TYPE IMAGING ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE DE TYPE EMPILÉ ET APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an imaging element including a photoelectric conversion unit formed by stacking a first electrode, a photoelectric conversion layer and a second electrode. The photoelectric conversion unit further includes a charge storage electrode which is disposed to be spaced apart from the first electrode and disposed opposite to the photoelectric conversion layer via an insulating layer. The photoelectric conversion unit is formed of N number of photoelectric conversion unit segments, and the same applies to the photoelectric conversion layer, the insulating layer and the charge storage electrode. An nth photoelectric conversion unit segment is formed of an nth charge storage electrode segment, an nth insulating layer segment and an nth photoelectric conversion layer segment. As n increases, the nth photoelectric conversion unit segment is located farther from the first electrode. A thickness of the insulating layer segment gradually changes from a first to Nth photoelectric conversion unit segment.
(FR)L'invention concerne un élément d'imagerie comprenant une unité de conversion photoélectrique formée par empilement d'une première électrode, d'une couche de conversion photoélectrique et d'une seconde électrode. L'unité de conversion photoélectrique comprend en outre une électrode d'accumulation de charge qui est disposée de sorte à être espacée de la première électrode et disposée à l'opposé de la couche de conversion photoélectrique par l'intermédiaire d'une couche isolante. L'unité de conversion photoélectrique est constituée d'un nombre N de segments d'unité de conversion photoélectrique, et il en est de même pour la couche de conversion photoélectrique, la couche isolante et l'électrode d'accumulation de charge. Un nièmesegment d'unité de conversion photoélectrique est constitué d'un nième segment d'électrode d'accumulation de charge, d'un nième segment de couche isolante et d'un nième segment de couche de conversion photoélectrique. Plus n augmente et plus le nièmesegment d'unité de conversion photoélectrique est situé à distance de la première électrode. Une épaisseur du segment de couche isolante varie progressivement d'un premier à un nièmesegment d'unité de conversion photoélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)