Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018096735) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/096735 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028993
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 09.08.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs :
大森 弘貴 OOMORI, Hirotaka; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-22774524.11.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
Abrégé :
(EN) A semiconductor module 1 according to one form of this invention comprises a first circuit board, a circuit unit and a first plate-shaped member; wherein the circuit unit has a second plate-shaped member, a vertical transistor, a circuit element and a second circuit board, and from among N circuit units, in n first circuit units the rear-side electroconductive region of the second plate-shaped member is electrically connected to the first input wiring pattern of the first circuit board, and in (N-n) second circuit units a third electroconductive pattern and a fourth electroconductive pattern of the second circuit board are electrically connected with the first control wiring pattern and second input wiring pattern of the first circuit board, the first plate-shaped member is electrically connected with a fourth electroconductive pattern of the first circuit unit and the second plate-shaped member of the second circuit unit, and the gate electrode pad of the vertical transistor in the first circuit unit is electrically connected to the first control wiring pattern of the first circuit board.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un module semi-conducteur (1) comprend une première carte de circuit imprimé, une unité de circuit et un premier élément en forme de plaque ; l'unité de circuit comprenant un deuxième élément en forme de plaque, un transistor vertical, un élément de circuit et une seconde carte de circuit imprimé, et parmi n unités de circuit, dans n premières unités de circuit, la région électroconductrice côté arrière du deuxième élément en forme de plaque est électriquement connectée au premier motif de câblage d'entrée de la première carte de circuit imprimé, et dans (N-n) des deuxièmes unités de circuit un troisième motif électroconducteur et un quatrième motif électroconducteur de la seconde carte de circuit imprimé sont électriquement connectés au premier motif de câblage de commande et au deuxième motif de câblage d'entrée de la première carte de circuit imprimé, le premier élément en forme de plaque est électriquement connecté à un quatrième motif électroconducteur de la première unité de circuit et du deuxième élément en forme de plaque de la seconde unité de circuit, et le plot d'électrode de grille du transistor vertical dans la première unité de circuit est électriquement connecté au premier motif de câblage de commande de la première carte de circuit imprimé.
(JA) 一形態に係る半導体モジュール1は、第1回路基板と回路ユニットと第1板状部材とを備え、回路ユニットは、第2板状部材と縦型トランジスタと回路素子と第2回路基板とを有し、N個の回路ユニットのうちn個の第1回路ユニットは、第2板状部材の裏面側導電領域が第1回路基板の第1入力用配線パターンと電気的に接続されており、(N-n)個の第2回路ユニットは、第2回路基板の第3導電パターン及び第4導電パターンが第1回路基板の第1制御用配線パターン及び第2入力用配線パターンと電気的に接続されており、第1板状部材は、第1回路ユニットの第4導電パターンと、第2回路ユニットの第2板状部材とを電気的に接続しており、第1回路ユニットにおける縦型トランジスタのゲート電極パッドは、第1回路基板の第1制御用配線パターンに電気的に接続されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)