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1. (WO2018096398) TRAITEMENT PLAN DE DISPOSITIFS MICROÉLECTROMÉCANIQUES (MEMS) SUSPENDUS
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N° de publication : WO/2018/096398 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/001552
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 27.11.2017
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES GLOBAL; 3rd Floor, Par La Ville Place 14 Par La Ville Road Hamilton, BM
Inventeurs : FLYNN, Michael, John; IE
LAMBKIN, Paul; IE
WHISTON, Seamus, Paul; IE
MCLOUGHLIN, Christina, B.; IE
Mandataire : BECK, Simon; Withers & Rogers LLP 4 More London Riverside London SE1 2AU, GB
Données relatives à la priorité :
15/362,29628.11.2016US
Titre (EN) PLANAR PROCESSING OF SUSPENDED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES
(FR) TRAITEMENT PLAN DE DISPOSITIFS MICROÉLECTROMÉCANIQUES (MEMS) SUSPENDUS
Abrégé : front page image
(EN) Suspended microelectromechanical systems (MEMS) devices including a stack of one or more materials over a cavity in a substrate are described. The suspended MEMS device may be formed by forming the stack, which may include one or more electrode layers and an active layer, over the substrate and removing part of the substrate underneath the stack to form the cavity. The resulting suspended MEMS device may include one or more channels that extend from a surface of the device to the cavity and the one or more channels have sidewalls with a spacer material. The cavity may have rounded corners and may extend beyond the one or more channels to form one or more undercut regions. The manner of fabrication may allow for forming the stack layers with a high degree of planarity.
(FR) Dispositifs de systèmes microélectromécaniques (MEMS) suspendus comprenant une pile d'un ou plusieurs matériaux sur une cavité dans un substrat. Le dispositif MEMS suspendu peut être formé par la formation de la pile, qui peut comprendre une ou plusieurs couches d'électrode et une couche active, sur le substrat et le retrait d'une partie du substrat sous la pile pour former la cavité. Le dispositif MEMS suspendu obtenu peut comprendre un ou plusieurs canaux qui s'étendent d'une surface du dispositif à la cavité et le ou les canaux comportent des parois latérales avec un matériau d'espacement. La cavité peut avoir des coins arrondis et peut s'étendre au-delà du ou des canaux pour former une ou plusieurs régions de contre-dépouille. La manière de fabrication peut permettre de former les couches de pile avec un degré élevé de planéité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)