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1. (WO2018096147) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/096147 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/080529
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 27.11.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/047 (2006.01) ,H01L 25/11 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
04
caractérisés par la forme
043
le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
047
les autres connexions étant parallèles à la base
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
11
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
ABB SCHWEIZ AG [CH/CH]; Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
Inventeurs :
HARTMANN, Samuel; CH
TRUESSEL, Dominik; CH
Mandataire :
ABB PATENT ATTORNEYS; ABB Schweiz AG, CH-IP Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
Données relatives à la priorité :
16200714.025.11.2016EP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) Power semiconductor module, comprising a base plate (12) with at least one substrate (11, 13, 15, 17) located on said base plate (12), wherein an electronic circuit is provided on said at least one substrate (11, 13, 15, 17), wherein located on the at least one substrate (11, 13, 15, 17) are electrical connectors comprising a DC+ power terminal (14), a DC- power terminal (16) and an AC power terminal (18) and further a control connector, wherein the power semiconductor module (10) is designed as a half-bridge module comprising a first amount (24) of switching power semiconductor devices (26, 28) and a second amount (30) of switching power semiconductor devices (32, 34), characterized in that the base plate (12) comprises a contact area (36), a first device area (38) and a second device area (40), wherein the contact area (36) is positioned in a center of the base plate (12) such, that the first device area (38) is positioned at a first side of the contact area (36) and that the second device area (40) is positioned at a second side of the contact area (36), the second side being arranged opposite to the first side, wherein the DC+ power terminal (14), the DC-power terminal (16), the AC power terminal (18) and the control connector are positioned in the contact area (36), wherein the first amount (24) of switching power semiconductor devices (26, 28) is positioned in the first device area (38) and wherein the second amount (30) of switching power semiconductor devices (32, 34) is positioned in the second device area (40), wherein all the power semiconductor devices (28, 30) in the first device area (38) are located in two parallel lines (42, 44) being aligned parallel to the width of the base plate (12) and wherein all the power semiconductor devices (32, 34) in the second device area (40) are located in two parallel lines (46, 48) being aligned parallel to the width of the base plate (12).
(FR) La présente invention concerne un module semi-conducteur de puissance, comprenant une plaque de base (12) ayant au moins un substrat (11, 13, 15, 17) situé sur ladite plaque de base (12), un circuit électronique étant disposé sur ledit ou lesdits substrats (11, 13, 15, 17), des connecteurs électriques étant situés sur le ou les substrats (11, 13, 15, 17) et comprenant une borne d'alimentation en courant continu positif (CC+) (14), une borne d'alimentation en courant continu négatif (CC-) (16) et une borne d'alimentation en courant alternatif (CA) (18) et en outre un connecteur de commande, le module semi-conducteur de puissance (10) étant conçu sous la forme d'un module de demi-pont comprenant une première quantité (24) de dispositifs semi-conducteurs de puissance de commutation (26, 28) et une seconde quantité (30) de dispositifs semi-conducteurs de puissance de commutation (32, 34), caractérisé en ce que la plaque de base (12) comprend une zone de contact (36), une première zone de dispositif (38) et une seconde zone de dispositif (40), la zone de contact (36) étant positionnée au centre de la plaque de base (12) de telle sorte que la première zone de dispositif (38) soit positionnée sur un premier côté de la zone de contact (36) et en ce que la seconde zone de dispositif (40) est positionnée sur un second côté de la zone de contact (36), le second côté étant disposé à l'opposé du premier côté, la borne d'alimentation en courant continu positif (14), la borne d'alimentation en courant continu négatif(16), la borne d'alimentation en courant alternatif (18) et le connecteur de commande étant positionnés dans la zone de contact (36), la première quantité (24) de dispositifs semi-conducteurs de puissance de commutation (26, 28) étant positionnée dans la première zone de dispositif (38) et la seconde quantité (30) de dispositifs semi-conducteurs de puissance de commutation (32, 34) étant positionnée dans la seconde zone de dispositif (40), tous les dispositifs semi-conducteurs de puissance (28, 30) dans la première zone de dispositif (38) étant situés dans deux lignes parallèles (42, 44) qui sont alignées parallèlement à la largeur de la plaque de base (12) et tous les dispositifs semi-conducteurs de puissance (32, 34) dans la seconde zone de dispositif (40) étant situés dans deux lignes parallèles (46, 48) qui sont alignées parallèlement à la largeur de la plaque de base (12).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)