WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018095440) STRUCTURE DE REGISTRE AUTOALIGNÉE POUR SILICIUM POLYCRISTALLIN DE BASE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/095440    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/119752
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 29.12.2017
CIB :
H01L 21/68 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01)
Déposants : CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO. 55 RESEARCH INSTITUTE [CN/CN]; No.524 Zhongshan East Road, Qinhuai District Nanjing, Jiangsu 210016 (CN)
Inventeurs : LIU, Hongjun; (CN).
YING, Xianwei; (CN).
ZHAO, Yangyang; (CN).
SHENG, Guoxing; (CN)
Mandataire : NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); Room 1912, Longtaiguoji Mansion, No.198, East Zhongshan Street, Baixia District Nanjing, Jiangsu 210005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201611041436.0 22.11.2016 CN
Titre (EN) SELF-ALIGNED REGISTER STRUCTURE FOR BASE POLYCRYSTALLINE SILICON AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE REGISTRE AUTOALIGNÉE POUR SILICIUM POLYCRISTALLIN DE BASE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A self-aligned register structure for base polycrystalline silicon and a preparation method therefor. The self-aligned register structure comprises a silicon substrate (1) having a partially oxidized area of SiO2 medium (2); a SiO2 medium protective layer (3) is provided at the center above the silicon substrate (1); a base polycrystalline silicon layer (5) is at the left and right side of the SiO2 medium protective layer (3); the gaps between the SiO2 medium protective layer (3) and the neighboring base polycrystalline silicon layer (5) are equal in size and symmetrical, the size of the gaps being equal to the thickness of the base polycrystalline silicon layer (5). The self-aligned register structure for base polycrystalline silicon guarantees the uniformity for the electric parameters of components, and eliminates physical or chemical damage to the intrinsic region caused when the etching reaches the surface of the silicon substrate during the forming of the base polycrystalline silicon, thereby reducing capacitance and enhancing product yield.
(FR)L’invention concerne une structure de registre autoalignée pour silicium polycristallin de base et son procédé de préparation. La structure de registre autoalignée comprend un substrat de silicium (1) ayant une zone partiellement oxydée de milieu de SiO2 (2) ; une couche protectrice (3) du milieu de SiO2 est disposée au centre au-dessus du substrat de silicium (1) ; une couche de silicium polycristallin de base (5) est à gauche et à droite de la couche protectrice (3) du milieu de SiO2 ; les espaces entre la couche protectrice (3) du milieu de SiO2 et la couche de silicium polycristallin de base (5) voisine sont égaux en taille et symétriques, la taille des espaces étant égale à l’épaisseur de la couche de silicium polycristallin de base (5). La structure de registre autoalignée pour silicium polycristallin de base garantit l’uniformité pour les paramètres électriques de composants, et empêche que la zone intrinsèque soit endommagée physiquement ou chimiquement lorsque la gravure atteint la surface du substrat de silicium pendant la formation du silicium polycristallin de base, réduisant ainsi la capacité et renforçant le rendement du produit.
(ZH)一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法,该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO 2介质(2)的硅衬底(1),在硅衬底(1)上方中间部位具有SiO 2介质保护层(3),基极多晶硅层(5)位于SiO 2介质保护层(3)左右两侧,且SiO 2介质保护层(3)与相邻的基极多晶硅层(5)间距相等且对称,间距大小与基极多晶硅层(5)的厚度相等。该基极多晶硅自对准套准结构,保证了器件电参数的一致性,消除了在形成基极多晶硅时,刻蚀至硅衬底表面时对本征区的物理或化学损伤,实现减小电容与提高成品率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)