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1. (WO2018095391) MÉLANGE ORGANIQUE, COMPOSITION ORGANIQUE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/095391 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/112712
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 23.11.2017
CIB :
H01L 51/30 (2006.01) ,C07D 253/02 (2006.01) ,C07D 403/02 (2006.01) ,C07D 487/06 (2006.01)
Déposants : GUANGZHOU CHINARAY OPTOELECTRONIC MATERIALS LTD.[CN/CN]; Room 602, Building G8, South China New Material Innovation Park, 31 Kefeng Road Science City, High-Tech Industrial Development Zone Guangzhou, Guangdong 510663, CN
Inventeurs : PAN, Junyou; CN
HE, Ruifeng; CN
TAN, Jiahui; CN
LI, Yini; CN
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901 No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201611046922.123.11.2016CN
Titre (EN) ORGANIC MIXTURE, ORGANIC COMPOSITION, ORGANIC ELECTRONIC COMPONENT, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) MÉLANGE ORGANIQUE, COMPOSITION ORGANIQUE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 有机混合物、有机组合物、有机电子器件及其制备方法
Abrégé :
(EN) An organic mixture, an organic composition, an organic electronic component, and a preparation method therefor. The organic mixture comprises two organic compounds H1 and H2, the organic compound H1 being a spiro compound, the organic compound H2 being a compound comprising rich electrons, min((LUMO(H1)-HOMO(H2)),(LUMO(H2)-HOM O(H1)))≤min(ET(H1),ET(H2))+0.1eV, the LUMO(H1), HOMO(H1) and ET(H1) respectively indicating a lowest unoccupied molecular orbital, a highest occupied molecular orbital and a triplet-state energy level of the organic compound H1, and the LUMO(H2), HOMO(H2) and ET(H2) respectively indicating a lowest unoccupied molecular orbital, a highest occupied molecular orbital and a triplet-state energy level of the organic compound H2.
(FR) L'invention concerne un mélange organique, une composition organique, un composant électronique organique et leur procédé de préparation. Le mélange organique comprend deux composés organiques H1 et H2, le composé organique H1 étant un composé spiro, le composé organique H2 étant un composé comprenant des électrons riches, min((LUMO(H1)-HOMO(H2)), (LUMO(H2)-HOMO(H1))) ≤ min(ET(H1), ET(H2)) + 0,1 eV, les expressions LUMO(H1), HOMO(H1) et ET(H1) indiquant respectivement l'orbitale moléculaire inoccupée la plus basse, l'orbitale moléculaire occupée la plus haute et le niveau d'énergie à l'état triplet du composé organique H1, et les expressions LUMO(H2), HOMO(H2) et ET(H2) indiquant respectivement l'orbitale moléculaire inoccupée la plus basse, l'orbitale moléculaire occupée la plus haute et le niveau d'énergie à l'état triplet du composé organique H2.
(ZH) 一种有机混合物、有机组合物、有机电子器件及其制备方法,该有机混合物包括两种有机化合物H1和H2,有机化合物H1为螺环类化合物,有机化合物H2为含富电子基团的的化合物;其中,min((LUMO(H1)-HOMO(H2)),(LUMO(H2)-HOM O(H1)))≤min(ET(H1),ET(H2))+0.1eV;其中,LUMO(H1)、HOMO(H1)及ET(H1)分别表示所述有机化合物H1的最低未占有轨道、最高占有轨道以及三线态能级;LUMO(H2)、HOMO(H2)及ET(H2)分别表示所述有机化合物H2的最低未占有轨道、最高占有轨道以及三线态能级。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)