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1. (WO2018094867) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE FLEXIBLE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/094867    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/071634
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 19.01.2017
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : XU, Chao; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201611077586.7 28.11.2016 CN
Titre (EN) FLEXIBLE QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE FLEXIBLE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种柔性量子点发光二极管及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A flexible quantum dot light-emitting diode comprises the following components sequentially arranged from bottom to top: a substrate (1); an anode layer (2); a hole transport layer (3); a quantum light-emitting layer (4); an electron producing layer (5); and a cathode layer (6). The anode layer (2) is made of a PEDOT:PSS material. Metal nanoparticles (7) are provided between the anode layer (2) and the substrate (1). The solution can significantly increase luminous efficiency and light extraction efficiency of a device.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente flexible à points quantiques qui comprend les composants suivants agencés séquentiellement du bas vers le haut : un substrat (1) ; une couche d'anode (2) ; une couche de transport de trous (3) ; une couche électroluminescente quantique (4) ; une couche de production d'électrons (5) ; une couche de cathode (6). La couche d'anode (2) est constituée d'un matériau en PEDOT : PSS. Des nanoparticules métalliques (7) sont disposées entre la couche d'anode (2) et le substrat (1). La solution peut augmenter significativement le rendement lumineux et l'efficacité d'extraction de lumière d'un dispositif.
(ZH)一种柔性量子点发光二极管,包括从下向上依次设置的衬底(1)、阳极层(2)、空穴传输层(3)、量子发光层(4)、电子产出层(5)和阴极层(6),其中,所述阳极层(2)为PEDOT:PSS材质,所述阳极层(2)与衬底(1)之间设有金属纳米粒子(7)。该方案可以大大提高器件的发光效率和出光效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)