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1. (WO2018094711) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/094711 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/107378
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 26.11.2016
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : XU, Wanjie; CN
TSAI, HaoCheng; CN
ZHANG, Chen-Xiong; CN
Mandataire : SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 隧穿场效应晶体管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN) A tunnel field effect transistor, and manufacturing method thereof. The tunnel field effect transistor comprises a substrate (10); a source region (20) and drain region (30) disposed on the substrate (10), wherein a region between the source region (20) and the drain region (30) is a channel (40), a pocket region (50) is formed between the source region (20) and the channel (40), the source region (20) and pocket region (50) contain a first-type dopant, and the drain region (30) contains a second-type dopant; a gate stack layer (60) disposed on the source region (20), pocket region (50), and channel (40); and side walls (70) disposed on two sides of the gate stack layer (60). The tunnel field effect transistor of the present invention reduces the subthreshold swing thereof.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ tunnel et son procédé de fabrication. Le transistor à effet de champ tunnel comprend un substrat (10); une région de source (20) et une région de drain (30) disposées sur le substrat, une région entre la région de source (20) et la région de drain (30) étant un canal (40), une région de poche (50) est formée entre la région de source (20) et le canal (40), la région de source (20) et la région de poche (50) contiennent un dopant de premier type, et la région de drain (30) contient un dopant de second type; une couche d'empilement de grille (60) disposée sur la région de source (20), la région de poche (50), et le canal (40); et des parois latérales (70) disposées sur deux côtés de la couche d'empilement de grille (60). Le transistor à effet de champ de tunnel de la présente invention réduit le balancement de sous-seuil de celui-ci.
(ZH) 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法,该隧穿场效应晶体管包括衬底(10);设置于衬底(10)上的源区(20)和漏区(30),源区(20)与漏区(30)之间的区域为沟道(40),源区(20)与沟道(40)之间形成口袋型区(50),源区(20)和口袋型区(50)均包含第一类掺杂物,漏区(30)包含第二类掺杂物;栅堆叠层(60),栅堆叠层(60)设置于源区(20)、口袋型区(50)以及沟道(40)上;侧壁(70),侧壁(70)设置于栅堆叠层(60)的两侧。该隧穿场效应晶体管,能够减小隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)