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1. (WO2018094599) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET À EFFET TUNNEL ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET À EFFET TUNNEL ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2018/094599 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/106896
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 23.11.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs :
蔡皓程 TSAI, Haocheng; CN
徐挽杰 XU, Wanjie; CN
张臣雄 ZHANG, Chenxiong; CN
Mandataire :
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 中国广东省深圳市 国贸大厦15楼西座1521室 Room 1521 West Block, Guomao Building Shenzhen, Guangdong 518014, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET À EFFET TUNNEL ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET À EFFET TUNNEL ASSOCIÉ
(ZH) 一种隧穿场效应晶体管制备方法及其隧穿场效应晶体管
Abrégé :
(EN) Provided are a method for preparing a tunneling field effect transistor and a tunneling field effect transistor. The preparation method comprises: providing a semiconductor base (201); forming a drain region (202) and a source region (203) at two sides of the semiconductor base respectively; depositing an epitaxial layer (204) on the surface of the semiconductor base; forming a gate region (205) on the epitaxial layer, the gate region being in contact with the drain region and the source region by means of the epitaxial layer; and forming a tunneling region (206) in the region where the gate region overlaps the source region. The present application can effectively reduce the dopants of the source region and the drain region that diffuse to the epitaxial layer, thereby effectively controlling the parameters of the tunneling field effect transistor.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation d'un transistor à effet de champ et à effet tunnel et un transistor à effet de champ et à effet tunnel. Le procédé de préparation consiste à : utiliser une base semi-conductrice (201) ; former une région de drain (202) et une région de source (203) sur deux côtés de la base semi-conductrice respectivement ; déposer une couche épitaxiale (204) sur la surface de la base semi-conductrice ; former une région de grille (205) sur la couche épitaxiale, la région de grille étant en contact avec la région de drain et la région de source au moyen de la couche épitaxiale ; et former une région à effet tunnel (206) dans la région où la région de grille chevauche la région de source. La présente invention peut réduire efficacement les dopants de la région de source et de la région de drain qui se diffusent vers la couche épitaxiale, ce qui permet de commander efficacement les paramètres du transistor à effet de champ et à effet tunnel.
(ZH) 提供一种隧穿场效应晶体管的制备方法以及隧穿场效应晶体管。制备方法包括:提供半导体基材(201);分别在半导体基材两侧形成漏极区域(202)以及源极区域(203);在半导体基材表面沉积外延层(204);在外延层上形成栅极区域(205),栅极区域通过外延层,与漏极区域以及源极区域接触;在栅极区域以及源极区域重叠的区域形成隧穿区域(206)。可以有效地减少源极区域以及漏极区域的掺杂扩散至外延层,从而可以有效地控制隧穿场效应晶体管的参数。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)