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1. (WO2018094595) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL
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N° de publication :    WO/2018/094595    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/106886
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 23.11.2016
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; A4-1501, Kexing Science Park No.15 Keyuan Rd., Science and Technology Park Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518052 (CN)
Inventeurs : HONG, Ri; (CN)
Mandataire : SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80 XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL
(ZH) 阵列基板的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present application provides a manufacturing method of an array substrate, comprising: forming a gate, a gate insulating layer, a metal oxide semiconductor layer, and a metal layer sequentially on a substrate; coating a photoresist on the metal layer; providing a multi-grayscale mask plate which is used to pattern the photoresist so as to form a semi-exposed region on the photoresist; etching the metal layer by using the photoresist as a masking layer such that the etched metal layer has a source drain layer pattern; removing the photoresist at the semi-exposed region to expose the metal layer under the semi-exposed region; dry etching the metal layer exposed under the semi-exposed region to expose the metal oxide semiconductor layer so as to form a channel; and removing the photoresist. The present application will not damage the metal layer during the formation of the channel, thereby improving the production yield of the array substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat matriciel, ledit procédé comprenant : la formation séquentielle d'une grille, d'une couche d'isolation de grille, d'une couche de semi-conducteur d'oxyde métallique et d'une couche métallique sur un substrat ; l'enduction d'une résine photosensible sur la couche métallique ; la fourniture d'une plaque de masque à niveaux de gris multiples qui est utilisée pour mettre en motif la résine photosensible de manière à former une région semi-exposée sur la résine photosensible ; la gravure de la couche métallique en utilisant la résine photosensible en tant que couche de masque de telle sorte que la couche métallique gravée présente un motif de couche de drain source ; l'élimination de la résine photosensible au niveau de la région semi-exposée pour exposer la couche métallique sous la région semi-exposée ; la gravure à sec de la couche métallique exposée sous la région semi-exposée pour exposer la couche de semi-conducteur d'oxyde métallique de manière à former un canal ; et l'élimination de la résine photosensible. La présente invention n'endommage pas la couche métallique pendant la formation du canal, ce qui améliore ainsi le rendement de production du substrat matriciel.
(ZH)本申请提供一种阵列基板的制造方法,包括:在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和金属层;在所述金属层上涂覆光刻胶;提供一多灰阶掩膜版,利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化,以在所述光刻胶上形成半曝光区域;以所述光刻胶为遮蔽层,对所述金属层进行蚀刻,使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案;去除所述半曝光区域处的光刻胶,以露出所述半曝光区域下方的所述金属层;干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层,以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道;去除所述光刻胶。本申请在形成沟道过程中不会对金属层造成损伤,提高了阵列基板的生产良率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)