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1. (WO2018094462) PASSIVATION AVANCÉE À L’HYDROGÈNE QUI ÉVITE LA RECOMBINAISON INDUITE PAR L’HYDROGÈNE (HIR) ET LA DÉTÉRIORATION DE PASSIVATION DE SURFACE DANS DES DISPOSITIFS PV
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N° de publication :    WO/2018/094462    N° de la demande internationale :    PCT/AU2017/051290
Date de publication : 31.05.2018 Date de dépôt international : 22.11.2017
CIB :
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; Rupert Myers Building Gate 14, Barker Street UNSW Sydney, New South Wales 2052 (AU)
Inventeurs : WENHAM, Stuart Ross; (AU).
CIESLA, Alison; (AU).
BAGNALL, Darren; (AU).
CHEN, Ran; (AU).
ABBOTT, Malcolm David; (AU).
HALLAM, Brett Jason; (AU).
CHAN, Catherine Emily; (AU).
CHONG, Chee Mun; (AU).
CHEN, Daniel; (AU).
PAYNE, David Neil; (AU).
MAI, Ly; (AU).
KIM, Moonyong; (AU).
FUNG, Tsun Hang; (AU).
SHI, Zhengrong; (AU)
Mandataire : GRIFFITH HACK; Level 22 Allendale Square 77 St Georges Terrace Perth, Western Australia 6000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2016904784 22.11.2016 AU
2016904785 22.11.2016 AU
2016904786 22.11.2016 AU
2016904787 22.11.2016 AU
2016904788 22.11.2016 AU
2016904789 22.11.2016 AU
2016905364 23.12.2016 AU
2017902441 23.06.2017 AU
Titre (EN) ADVANCED HYDROGEN PASSIVATION THAT MITIGATES HYDROGEN-INDUCED RECOMBINATION (HIR) AND SURFACE PASSIVATION DETERIORATION IN PV DEVICES
(FR) PASSIVATION AVANCÉE À L’HYDROGÈNE QUI ÉVITE LA RECOMBINAISON INDUITE PAR L’HYDROGÈNE (HIR) ET LA DÉTÉRIORATION DE PASSIVATION DE SURFACE DANS DES DISPOSITIFS PV
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure provides methodologies for manufacturing photovoltaic devices. In particular, the disclosure relates to the use of hydrogen during manufacturing of photovoltaic devices for passivating defects in the silicon and addressing light-induced degradation. The methodologies in the present disclosures take advantage of generation and manipulation of hydrogen in the neutral or charged state to optimise defect passivation. Some of the methodologies disclose use thermal treatments, illumination with sub-bandgap photons, electric fields or defects in the silicon to control the state of charge or hydrogen, move hydrogen to different locations in the device or retain hydrogen at specific locations.
(FR)La présente invention concerne des méthodologies de fabrication de dispositifs photovoltaïques. En particulier, l’invention porte sur l’utilisation d’hydrogène pendant la fabrication de dispositifs photovoltaïques pour la passivation de défauts dans le silicium et la résolution de la dégradation induite par la lumière. Les méthodologies selon les présentes inventions tirent parti de la génération et de la manipulation d’hydrogène à l’état neutre ou chargé pour optimiser la passivation de défauts. Certaines des méthodologies concernent l’usage de traitements thermiques, d’éclairage avec des photons de sous-bande interdite, de champs électriques ou de défauts dans le silicium pour contrôler l’état de charge ou l’hydrogène, déplacer l’hydrogène vers différentes positions dans le dispositif ou retenir l’hydrogène à des positions spécifiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)