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1. (WO2018092213) DISPOSITIF DE RAYONNEMENT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2018/092213 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/083972
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 16.11.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu; JP
野寺 伸武 NODERA, Nobutake; JP
松島 吉明 MATSUSHIMA, Yoshiaki; JP
田中 優数 TANAKA, Masakazu; JP
松本 隆夫 MATSUMOTO, Takao; JP
中川 英俊 NAKAGAWA, Hidetoshi; JP
Mandataire :
白坂 一 SHIRASAKA, Hajime; JP
高梨 玲子 TAKANASHI, Reiko; JP
播磨 里江子 HARIMA, Rieko; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LASER IRRADIATION DEVICE AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RAYONNEMENT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
Abrégé :
(EN) When present on a substrate, joint lines between annealing treatments are often seen as uneven joints. This laser irradiation device is characterized by being provided with a light source which generates a laser, a projection lens which performs annealing treatment by irradiating said laser onto a prescribed region of an amorphous silicon thin film coated on each of multiple thin film transistors on a glass substrate, and a projection mask pattern which is provided on the projection lens and which has multiple openings such that the laser is irradiated onto each of said multiple thin film transistors; when annealing treatment in a prescribed direction on the glass substrate has been completed, the projection lens moves in a direction perpendicular to the aforementioned prescribed direction and then again performs the annealing treatment in said prescribed direction; in the projection mask pattern, the number of openings gradually increases in the aforementioned perpendicular direction from the outside rows of the projection mask pattern towards the inside rows.
(FR) Lorsque des lignes de jonction entre des traitements de recuit sont présentes sur un substrat, adoptent souvent l'aspect de jonctions irrégulières. Le présent dispositif de rayonnement laser est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une source de lumière qui génère un laser, d'une lentille de projection qui exécute un traitement de recuit par exposition d'une région prescrite d'une couche mince de silicium amorphe revêtant chaque transistor de multiples transistors à couches minces sur un substrat en verre à un rayonnement dudit laser, et d'un motif de masque de projection disposé sur la lentille de projection et comportant de multiples ouvertures de sorte que chaque transistor parmi lesdits multiples transistors à couches minces soit exposé à un rayonnement laser ; à la fin de l'exécution, sur le substrat en verre, d'un traitement de recuit dans une direction prescrite, la lentille de projection se déplace dans une direction perpendiculaire à la direction prescrite susmentionnée, puis exécute à nouveau le traitement de recuit dans ladite direction prescrite ; le nombre d'ouvertures du motif de masque de projection augmente progressivement dans la direction perpendiculaire susmentionnée à partir des rangées extérieures du motif de masque de projection vers les rangées intérieures.
(JA) 基板上において、アニール化処理間のつなぎ目が存在すると、当該つなぎ目がつなぎムラとして認識されてしまう。本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射してアニール化処理を行う投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該複数の薄膜トランジスタの各々に対して当該レーザ光が照射されるように、複数の開口部が設けられた投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、当該ガラス基板上の所定の方向に対するアニール化処理が完了した場合、当該所定の方向の直交方向に移動した後、再度、当該所定の方向に対するアニール化処理を行い、当該投影マスクパターンは、当該直交方向において、当該投影マスクパターンの外側の列から内側の列に向けて、当該開口部の数を徐々に増加させることを特徴とする。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)