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1. (WO2018092115) PROCÉDÉ D'ALLUMAGE PAR DÉCHARGE DE PLASMA PERMETTANT DE RÉDUIRE LES PARTICULES DE SURFACE
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N° de publication : WO/2018/092115 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/057305
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 21.11.2017
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs : VORONIN, Sergey; US
MARION, Jason; US
YOSHIDA, Yusuke; US
RANJAN, Alok; US
ENOMOTO, Takashi; JP
ISHIKAWA, Yoshio; JP
Mandataire : WEIHROUCH, Steven P.; Rothwell, Figg, Ernst & Manbeck, P.C. 607 14th Street, N.W. Suite 800 Washington, D.C. 20005, US
Données relatives à la priorité :
62/424,79121.11.2016US
Titre (EN) METHOD OF PLASMA DISCHARGE IGNITION TO REDUCE SURFACE PARTICLES
(FR) PROCÉDÉ D'ALLUMAGE PAR DÉCHARGE DE PLASMA PERMETTANT DE RÉDUIRE LES PARTICULES DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN) Systems and methods are disclosed for plasma discharge ignition to reduce surface particles and thereby decrease defects introduced during plasma processing. A microelectronic workpiece is positioned on a holder within a process chamber that includes a first radio frequency (RF) power source configured to couple RF power to a top portion of the process chamber, a second RF power source configured to couple RF power to the holder, and a direct current (DC) power supply. Initially, a process gas for plasma process is flowed into the process chamber. The process gas is ignited to form plasma by activating the second RF power source to apply RF power to the holder. Subsequently, the microelectronic workpiece is clamped to the holder by applying the positive voltage to the holder with the DC power supply, and the first RF power source is activated to maintain the plasma within the process chamber.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et des procédés d'allumage par décharge de plasma permettant de réduire les particules de surface et de réduire ainsi les défauts introduits pendant un traitement au plasma. Une pièce microélectronique à travailler est positionnée sur un support à l'intérieur d'une chambre de traitement qui comprend une première source d'alimentation radiofréquence (RF pour Radio Frequency) configurée de sorte à coupler l'énergie RF à une partie supérieure de la chambre de traitement, une seconde source d'énergie RF configurée de sorte à coupler l'énergie RF au support, et une alimentation électrique en courant continu (CC). Initialement, un gaz de traitement pour un traitement au plasma est amené à circuler dans la chambre de traitement. Le gaz de traitement est enflammé pour former un plasma par activation de la seconde source d'énergie RF pour appliquer une énergie RF au support. Par la suite, la pièce microélectronique à travailler est serrée sur le support par application de la tension positive au support avec l'alimentation électrique en courant continu et la première source d'énergie RF est activée pour maintenir le plasma à l'intérieur de la chambre de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)