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1. (WO2018091094) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LASER MODULÉ PAR ÉLECTROABSORPTION ET LASER MODULÉ PAR ÉLECTROABSORPTION
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N° de publication : WO/2018/091094 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/078001
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 17.11.2016
CIB :
H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/06 (2006.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/0625 (2006.01) ,G02F 1/015 (2006.01) ,H01S 5/12 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
062
en faisant varier le potentiel des électrodes
0625
dans des lasers à plusieurs sections
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015
basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
12
le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie (lasers DFB)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22
ayant une structure à nervures ou à bandes
Déposants :
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Inventeurs :
MOEHRLE, Martin; DE
DOLORES CALZADILLA, Victor; DE
ZANDER, Marlene; DE
SOARES, Francisco; DE
Mandataire :
MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Postfach 15 09 20 10671 Berlin, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING AN ELECTRO-ABSORPTION MODULATED LASER AND ELECTRO-ABSORPTION MODULATED LASER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LASER MODULÉ PAR ÉLECTROABSORPTION ET LASER MODULÉ PAR ÉLECTROABSORPTION
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for fabricating an electroabsorption modulated laser (1), comprising generating a single mode laser section (11) and an electroabsorption modulator section (12), comprising fabricating at least one n-doped layer (111) of the laser section (11) and at least one n-doped layer (121) of the modulator section (12); generating an isolating section (13) for electrically isolating at least the n-doped layer (111) of the laser section (11) and the n-doped layer (112) of the modulator section (12) from one another. According to the invention, generating the isolating section (13) comprises epitaxially growing at least one isolating layer (131, 132) and structuring the isolating layer (131, 132) before the generation of the n-doped layer (111) of the laser section (11) and the n-doped layer (121) of the modulator section (12). The invention also relates to an electroabsorption modulated laser.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un laser modulé par électroabsorption (1), comprenant la génération d'une section laser monomode (11) et d'une section modulateur par électroabsorption (12), comprenant la fabrication d'au moins une couche dopée n (111) de la section laser (11) et d'au moins une couche dopée n (121) de la section modulateur (12); la génération d'une section d'isolation (13) pour isoler électriquement au moins la couche dopée n (111) de la section laser (11) et de la couche dopée n (112) de la section modulateur (12) l'une de l'autre. Selon l'invention, la génération de la section d'isolation (13) comprend la croissance épitaxiale d'au moins une couche isolante (131, 132) et la structuration de la couche isolante (131, 132) avant la génération de la couche dopée n (111) de la section laser (11) et de la couche dopée n (121) de la section modulateur (12). L'invention concerne également un laser modulé par électroabsorption.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)