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1. (WO2018090591) CHAMBRE DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/090591 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/085304
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 22.05.2017
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
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Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
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pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
Déposants :
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
邓玉春 DENG, Yuchun; CN
邱国庆 QIU, Guoqing; CN
赵梦欣 ZHAO, Mengxin; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201611039580.021.11.2016CN
Titre (EN) PROCESSING CHAMBER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 工艺腔室及半导体装置
Abrégé :
(EN) Provided are a processing chamber and a semiconductor device. The processing chamber comprises a chamber body (100), the chamber body (100) being provided with at least two processing sub-chambers (101, 102), the at least two processing sub-chambers communicating. By means of providing at least two processing sub-chambers on the chamber body and enabling the at least two processing sub-chambers to communicate, each processing sub-chamber can simultaneously process wafers when the internal process environment is the same, thereby improving the process efficiency and the device capacity.
(FR) La présente invention concerne une chambre de traitement et un dispositif à semi-conducteur. La chambre de traitement comprend un corps de chambre (100), le corps de chambre (100) étant pourvu d'au moins deux sous-chambres de traitement (101, 102), lesdites sous-chambres de traitement communiquant entre elles. Grâce à la fourniture d'au moins deux sous-chambres de traitement sur le corps de chambre et en permettant auxdites sous-chambres de traitement de communiquer entre elles, chaque sous-chambre de traitement peut traiter simultanément des tranches lorsque l'environnement de traitement interne est identique, ce qui permet d'améliorer l'efficacité du processus et la capacité du dispositif.
(ZH) 一种工艺腔室及半导体装置,工艺腔室包括腔室本体(100),腔室本体上开设有至少两个工艺子腔室(101,102),且至少两个工艺子腔室保持连通。通过在腔室本体上开设有至少两个工艺子腔室,且使至少两个工艺子腔室保持连通,而使得各工艺子腔室能够在内部工艺环境一致的情况下同时处理晶片,从而提高工艺效率和设备产能。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)