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1. (WO2018090586) TECHNIQUE DE PASSIVATION DE SURFACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/090586 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/084580
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 16.05.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : HEBEI UNIVERSITY[CN/CN]; No.180, Wusi East Road Baoding, Hebei 071002, CN
Inventeurs : MAI, Yaohua; CN
SHEN, Yanjiao; CN
CHEN, Bingbing; CN
GUO, Jianxin; CN
XU, Ying; CN
CHEN, Jianhui; CN
Mandataire : SHIJIAZHUANG GUOYU PATENT TRADEMARK AGENCY; No.334, Heping West Road, Xinhua District Shijiazhuang, Hebei 050071, CN
Données relatives à la priorité :
201611003636.715.11.2016CN
Titre (EN) SURFACE PASSIVATION TECHNIQUE FOR SILICON WAFER
(FR) TECHNIQUE DE PASSIVATION DE SURFACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
(ZH) 硅片的表面钝化技术
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a surface passivation technique for a silicon wafer (1). By preparing a polystyrene sulfonic acid thin film (2) on the surface of a silicon wafer (1), passivation of the surface of the silicon wafer (1) is realized. The thickness of the polystyrene sulfonic acid thin film (2) prepared on the surface of the silicon wafer (1) is on the nano scale. After passivation of the surface of the silicon wafer (1) by the polystyrene sulfonic acid thin film (2), a high-quality passivation effect can be obtained, and the minority carrier lifetime can reach more than 20 ms. Besides this, the preparation of the polystyrene sulfonic acid thin film (2) can be realized by a spin-coating method, a spraying coating method or a printing method, etc., and the passivation technique has a simple process without requiring a vacuum or a high temperature, and is safe and convenient to operate. The provided passivation technique has a very important application value for silicon material detection and silicon solar energy cell surface passivation.
(FR) L'invention concerne une technique de passivation de surface pour une tranche de silicium (1). La passivation de la surface de la tranche de silicium (1) est réalisée par la préparation d'un film mince d'acide sulfonique de polystyrène (2) sur la surface d'une tranche de silicium (1). L'épaisseur du film mince d'acide sulfonique de polystyrène (2) préparé sur la surface de la tranche de silicium (1) est à l'échelle nanométrique. Après la passivation de la surface de la tranche de silicium (1) par le film mince d'acide sulfonique de polystyrène (2), un effet de passivation de haute qualité peut être obtenu, et la durée de vie de porteurs minoritaires peut atteindre plus de 20 ms. En outre, la préparation du film mince d'acide sulfonique de polystyrène (2) peut être réalisée par un procédé de revêtement par centrifugation, un procédé de revêtement par pulvérisation ou un procédé d'impression, etc., et la technique de passivation a un processus simple sans nécessiter un vide ou une température élevée, et son utilisation est sûre et pratique. La technique de passivation décrite a une valeur d'application très importante pour la détection de matériau de silicium et la passivation de surface de cellule solaire au silicium.
(ZH) 一种硅片(1)的表面钝化技术,通过在硅片(1)的表面制备聚苯乙烯磺酸薄膜(2),以实现对硅片(1)表面的钝化。在硅片(1)表面所制备的聚苯乙烯磺酸薄膜(2)的厚度为纳米量级。聚苯乙烯磺酸薄膜(2)钝化硅片(1)表面后,可获得高质量的钝化效果,少子寿命可达到20ms以上。且制备聚苯乙烯磺酸薄膜(2)可通过旋涂法、喷涂法或印刷法等来实现,钝化技术工艺简单,无需真空,无需高温,安全且便于操作。所提供的钝化技术对于硅材料检测和硅太阳能电池的表面钝化具有非常重要的应用价值。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)