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1. (WO2018090301) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/090301 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/106291
Date de publication : 24.05.2018 Date de dépôt international : 17.11.2016
CIB :
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 21/331 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33
les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331
Transistors
Déposants :
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs :
杨喜超 YANG, Xichao; CN
张臣雄 ZHANG, Chen-Xiong; CN
Mandataire :
北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 中国北京市 海淀区西直门北大街32号枫蓝国际A座8F-6 8F-6,Bldg.A, Winland International Center NO.32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 隧穿场效应晶体管及其制造方法
Abrégé :
(EN) Provided in the present invention are a tunnel field effect transistor, and manufacturing method thereof. The manufacturing method comprises: defining, by means of an STI process, an active region on a semiconductor substrate; manufacturing a sacrificial gate on a middle surface of the active region; performing ion implantation on one side to form an ion-doped portion of a line tunnel junction, and then manufacturing a sacrificial gate isolation wall to protect the ion-doped portion; forming another isolation wall and another ion implantation operation to form a source region and a drain region, wherein the ion concentration of the drain region is lower than or equal to the ion concentration of the ion-doped portion; removing the sacrificial gate, and depositing a gate dielectric layer, a work function layer, and a gate conductive layer sequentially; and manufacturing a source electrode and a drain electrode to form a tunnel field effect transistor. In this way, the present invention enables an area of a line tunnel junction to be accurately defined, and ensures the performance consistency of devices on a wafer, thus effectively enhancing process stability.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ à effet tunnel, et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication consiste : à définir, au moyen d’un processus de STI, une zone active sur un substrat semi-conducteur ; à fabriquer une grille sacrificielle sur une surface centrale de la zone active ; à procéder à l’implantation d’ions sur un côté pour former une partie dopée aux ions d’une jonction à effet tunnel en ligne, puis à fabriquer une paroi d’isolation de grille sacrificielle pour protéger la partie dopée aux ions ; à former une autre paroi d’isolation et à procéder à une autre opération d’implantation d’ions pour former une zone de source et une zone de drain, la concentration d’ions de la zone de drain étant inférieure ou égale à la concentration d’ions de la partie dopée aux ions ; à retirer la grille sacrificielle, et à déposer une couche diélectrique de grille, une couche à fonction de travail, et une couche conductrice de grille séquentiellement ; et à fabriquer une électrode de source et une électrode de drain pour former un transistor à effet de champ à effet tunnel. De cette manière, la présente invention permet une définition précise d’une aire d’une jonction à effet tunnel en ligne, et assure la constance de performance de dispositifs sur une plaquette, renforçant ainsi efficacement la stabilité du processus.
(ZH) 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制造方法,该制造方法包括:在半导体衬底上通过STI工艺定义有源区域,并在有源区域中间表面制作牺牲栅,在一侧进行离子注入形成线遂穿结的离子掺杂部分,然后再制作牺牲栅隔离墙以保护上述离子掺杂部分,然后制作其他的隔离墙以及再次进行离子注入形成源区和漏区,漏区的离子浓度低于或者等于离子掺杂部分的离子浓度,再移除牺牲栅,然后依次沉积栅介质层、功函数层和栅导电层,制作源电极和漏电极形成隧穿场效应晶体管,通过该种方式可以精确定义线遂穿结的面积,能够保证晶圆上器件性能一致,有效提高工艺稳定性。
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)