Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018090007) PROCÉDÉ DE PRÉVENTION DE TRANSFERT DE CHARGES DE SILICIUM MASSIF POUR TRAITEMENT DE NANOFILS ET DE NANOPLAQUES

Pub. No.:    WO/2018/090007    International Application No.:    PCT/US2017/061550
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/66
H01L 29/78
H01L 29/06
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
SMITH, Jeffrey
DEVILLIERS, Anton
Inventors: SMITH, Jeffrey
DEVILLIERS, Anton
Title: PROCÉDÉ DE PRÉVENTION DE TRANSFERT DE CHARGES DE SILICIUM MASSIF POUR TRAITEMENT DE NANOFILS ET DE NANOPLAQUES
Abstract:
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur qui consiste à réaliser un substrat comportant une structure d’ailettes stratifiées. La structure d’ailettes stratifiées inclut une partie d’ailettes de base, une partie sacrificielle disposée sur la partie d’ailettes de base et une partie de canal disposée sur la partie sacrificielle. Une pellicule de source de dopage est disposée sur le substrat au-dessus de la structure d’ailettes stratifiées, et diffuse des matériaux dopants depuis la pellicule de source de dopage dans une partie de la structure d’ailettes stratifiées autre que la partie de canal pour former une zone dopée de diffusion dans la structure d’ailettes stratifiées. Un matériau d’isolation est disposé sur le substrat au-dessus d’au moins la zone dopée de diffusion de la structure d’ailettes stratifiées.