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1. (WO2018089937) STRUCTURE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À DOPAGE POSITIONNÉ
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N° de publication : WO/2018/089937 N° de la demande internationale : PCT/US2017/061394
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 13.11.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : RAMBUS INC.[US/US]; 1050 Enterprise Way, Suite 700 Sunnyvale, California 94089, US
Inventeurs : LU, Zhichao; US
BRONNER, Gary Bela; US
Mandataire : PORTNOVA, Marina; US
Données relatives à la priorité :
62/421,77414.11.2016US
62/503,84809.05.2017US
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE WITH POSITIONED DOPING
(FR) STRUCTURE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À DOPAGE POSITIONNÉ
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is a resistive random access memory (RRAM). The RRAM includes a bottom electrode made of tungsten and a switching layer made of hafnium oxide disposed above the bottom electrode, wherein the switching layer includes a filament and one or more lateral regions including a doping material that are between a top region and a bottom region of the switching layer. The RRAM further includes a top electrode disposed above the switching layer.
(FR) L'invention concerne une mémoire vive résistive (RRAM). La RRAM comprend une électrode inférieure en tungstène et une couche de commutation en oxyde d'hafnium disposée en-dessus de l'électrode inférieure, la couche de commutation comprenant un filament et une ou plusieurs régions latérales comprenant un matériau dopant qui se trouvent entre une région supérieure et une région inférieure de la couche de commutation. La RRAM comprend en outre une électrode supérieure disposée au-dessus de la couche de commutation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)