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1. (WO2018089937) STRUCTURE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À DOPAGE POSITIONNÉ

Pub. No.:    WO/2018/089937    International Application No.:    PCT/US2017/061394
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Nov 14 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 45/00
G11C 13/00
H01L 27/24
Applicants: HEFEI RELIANCE MEMORY LIMITED
Inventors: LU, Zhichao
BRONNER, Gary Bela
Title: STRUCTURE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À DOPAGE POSITIONNÉ
Abstract:
L'invention concerne une mémoire vive résistive (RRAM). La RRAM comprend une électrode inférieure en tungstène et une couche de commutation en oxyde d'hafnium disposée en-dessus de l'électrode inférieure, la couche de commutation comprenant un filament et une ou plusieurs régions latérales comprenant un matériau dopant qui se trouvent entre une région supérieure et une région inférieure de la couche de commutation. La RRAM comprend en outre une électrode supérieure disposée au-dessus de la couche de commutation.