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1. (WO2018089579) COUCHES D'ARRÊT DE GRAVURE III-N CONTENANT DU SCANDIUM POUR LA GRAVURE SÉLECTIVE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS DU GROUPE III ET MATÉRIAUX APPARENTÉS
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N° de publication : WO/2018/089579 N° de la demande internationale : PCT/US2017/060771
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 09.11.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
Déposants : THE GOVERMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY[US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203, US
Inventeurs : HARDY, Matthew, T.; US
DOWNEY, Brian, P.; US
MAYER, David, J.; US
Mandataire : BROOME, Kerry, L.; US
Données relatives à la priorité :
62/420,02910.11.2016US
Titre (EN) SCANDIUM-CONTAINING III-N ETCH-STOP LAYERS FOR SELECTIVE ETCHING OF III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS
(FR) COUCHES D'ARRÊT DE GRAVURE III-N CONTENANT DU SCANDIUM POUR LA GRAVURE SÉLECTIVE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS DU GROUPE III ET MATÉRIAUX APPARENTÉS
Abrégé :
(EN) A semiconductor device structure including a scandium (Sc)- or yttrium (Y)-containing material layer situated between a substrate and one or more overlying layers. The Sc- or Y-containing material layer serves as an etch-stop during fabrication of one or more devices from overlying layers situated above the Sc- or Y-containing material layer. The Sc- or Y-containing material layer can be grown within an epitaxial group Ill-nitride device structure for applications such as electronics, optoelectronics, and acoustoelectronics, and can improve the etch-depth accuracy, reproducibility and uniformity.
(FR) Une structure de dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend une couche de matériau contenant du scandium (Sc) ou de l'yttrium (Y) disposée entre un substrat et une ou plusieurs couches superposées. La couche de matériau contenant du Sc ou de l'Y sert d'arrêt de gravure pendant la fabrication d'un ou de plusieurs dispositifs à partir de couches superposées disposées au-dessus de la couche de matériau contenant du Sc ou de l'Y. La couche de matériau contenant du Sc ou de l'Y peut être développée à l'intérieur d'une structure de dispositif d'épitaxie de nitrure d'éléments du groupe III pour des applications telles que l'électronique, l'optoélectronique et l'électroacoustique, et peut améliorer la précision de profondeur, la reproductibilité et l'uniformité de la gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)