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1. (WO2018089545) DÉPÔT SÉLECTIF EN BAIN CHIMIQUE D'OXYDE D'IRIDIUM SUR DES SUBSTRATS SOUPLES À COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2018/089545    International Application No.:    PCT/US2017/060712
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 09 00:59:59 CET 2017
IPC: A61N 1/05
A61N 1/00
A61N 1/02
A61N 1/04
C23C 22/00
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
Inventors: LIU, Wentai
CHANG, Chih-Wei
WU, Pu-Wei
WU, Chung-Yu
CHEN, Pu-Chun
CHUNG, Tsai-Wei
Title: DÉPÔT SÉLECTIF EN BAIN CHIMIQUE D'OXYDE D'IRIDIUM SUR DES SUBSTRATS SOUPLES À COUCHES MINCES
Abstract:
L'invention concerne des procédés et des dispositifs de fabrication d'électrode en oxyde métallique à couche mince souple, illustrés par la formation d'électrode en polyimide à couche mince et le dépôt en bain chimique d'IrOx. Les facteurs de croissance du film déposé, tels que l'épaisseur du film, la vitesse de dépôt et la qualité des cristallites, peuvent être régulés en faisant varier le pH de la solution, la température du bain et les concentrations des constituants du bain. Les procédés permettent un dépôt sélectif de l'IrOx sur un substrat souple (par exemple, une électrode en polyimide) où l'IrOx ne recouvre qu'une zone métallique exposée et non la totalité de la surface du dispositif. Cette caractéristique permet au processus de bain de revêtir l'IrOx sur chaque électrode individuelle en un lot, et d'assurer une isolation électrique entre les canaux. Grâce à la capacité d'effectuer un dépôt sélectif, les plots pour les connexions externes n'ont pas de couverture d'IrOx qui pourrait autrement interférer avec un processus de brasage/bossage.