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1. (WO2018089061) INTERCONNEXION DE DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/089061 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045355
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01L 39/24 (2006.01) ,H01L 39/22 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION[US/US]; 2980 Fairview Park Drive Falls Church, VA 22042-4511, US
Inventeurs : KIRBY, Christopher, F.; US
RENNIE, Michael; US
GRANINGER, Aurelius, L.; US
Mandataire : HARRIS, Christopher, P.; US
Données relatives à la priorité :
15/244,82723.08.2016US
Titre (EN) JOSEPHSON JUNCTION SUPERCONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION DE DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) The disclosed method of forming a Josephson junction (JJ) based superconductor device interconnect structure includes forming a base electrode (18) in a coplanar first dielectric layer (16), preferably by a damascene process, depositing a second dielectric layer (20) thereon, forming a first contact (22) through the second dielectric layer to a first end of the base electrode, forming a JJ (30) overlying and in contact with the first contact, and forming a second contact (24) through the second dielectric layer to a second end of the base electrode.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une structure d'interconnexion de dispositifs supraconducteurs. Le procédé comprend la formation d'une première couche diélectrique à haute température recouvrant un substrat, la formation d'une électrode de base dans la première couche diélectrique à haute température, l'électrode de base ayant une surface supérieure alignée avec la surface supérieure de la première couche diélectrique à haute température, et le dépôt d'une seconde couche diélectrique à haute température sur la première couche diélectrique à haute température et l'électrode de base. Le procédé comprend en outre la formation d'un premier contact à travers la seconde couche diélectrique à une première extrémité de l'électrode de base, formant une jonction Josephson (JJ) recouvrant et en contact avec le premier contact, et formant un second contact à travers la seconde couche diélectrique à une seconde extrémité de l'électrode de base.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)