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1. (WO2018088851) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/088851    International Application No.:    PCT/KR2017/012751
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 33/22
H01L 33/10
H01L 33/36
H01L 33/50
H01L 33/44
Applicants: LG INNOTEK CO., LTD.
엘지이노텍 주식회사
Inventors: SEONG, Jun Seok
성준석
CHOI, Byeong Kyun
최병균
HYUN, Ku
현구
Title: ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention porte, dans un mode de réalisation, sur un élément semi-conducteur qui comprend : une pluralité de structures de semi-conducteur, dont chacune comprend une première couche de semi-conducteur conductrice, une seconde couche de semi-conducteur conductrice, une couche active disposée entre la première couche de semi-conducteur conductrice et la seconde couche de semi-conducteur conductrice, et un premier évidement s'étendant à travers la seconde couche de semi-conducteur conductrice et la couche active vers une zone partielle de la première couche de semi-conducteur conductrice ; un second évidement disposé entre la pluralité de structures de semi-conducteur ; une première électrode disposée au niveau du premier évidement et raccordée électriquement à la première couche de semi-conducteur conductrice ; une couche réfléchissante disposée sous la seconde couche de semi-conducteur conductrice ; et une partie en saillie disposée sur le second évidement et faisant saillie plus haut que les surfaces supérieures des structures de semi-conducteur, une surface, sur laquelle la première électrode est en contact avec la première couche de semi-conducteur conductrice dans le premier évidement, variant entre 300 et 500 nm à distance des surfaces supérieures des structures de semi-conducteur.