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1. (WO2018088468) SUBSTRAT AYANT UN TROU NON TRAVERSANT
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N° de publication : WO/2018/088468 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040411
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 09.11.2017
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H05K 1/11 (2006.01) ,H05K 3/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1
Circuits imprimés
02
Détails
11
Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
40
Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
Déposants :
AGC株式会社 AGC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP
Inventeurs :
堀内 浩平 HORIUCHI, Kohei; JP
佐藤 陽一郎 SATO, Yoichiro; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-22189014.11.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE HAVING NON-THROUGH HOLE
(FR) SUBSTRAT AYANT UN TROU NON TRAVERSANT
(JA) 非貫通孔を有する基板
Abrégé :
(EN) A substrate having a non-through hole wherein the non-through hole has an opening portion with a diameter φ1 and a depth d in predetermined ranges, and has a round tip portion. In a cross section along the extending axis of the non-through hole and through the diameter of the opening portion, the tip portion has a shape that can be approximated by a circle with a diameter φ2, where a ratio φ21 is in a range of from 0.03 to 0.9. In the cross section, a first side wall is recognized which defines the side of the non-through hole. When, along the extending axis, a point on a first side wall at a distance of d1(d1 = 0.1 × d) in the depth direction from the opening portion is A, a point on the first side wall at a distance of d2(d2 = 0.5 × d) from the opening portion in the depth direction is B, a straight line connecting the points A and B is L, and the straight line L and the extending axis form an angle that is a taper angle, the taper angle is in a range of from 2° to 80°.
(FR) L'invention concerne un substrat ayant un trou non traversant dans lequel le trou non traversant a une partie d'ouverture ayant un diamètre φ1 et une profondeur d dans des plages prédéterminées, et a une partie de pointe ronde. Dans une section transversale le long de l'axe d'extension du trou non traversant et à travers le diamètre de la partie d'ouverture, la partie de pointe a une forme qui peut être approximée par un cercle ayant un diamètre φ2, où un rapport φ21 est dans une plage de 0,03 à 0,9. dans la section transversale, une première paroi latérale est reconnue qui définit le côté du trou non traversant. Lorsque, le long de l'axe d'extension, un point sur une première paroi latérale à une distance de d1(d1 = 0.1 × d) dans la direction de profondeur à partir de la partie d'ouverture est A, un point sur la première paroi latérale à une distance de d2(d2 = 0.5 × d) à partir de la partie d'ouverture dans la direction de profondeur est B, une ligne droite reliant les points A et B est L, et la ligne droite L et l'axe d'extension forment un angle qui est un angle de conicité, l'angle de conicité est dans une plage de 2° à 80 °.
(JA) 非貫通孔を有する基板において、非貫通孔は、開口部の直径φおよび深さdが所定の範囲であり、先端部が丸くなっており、前記非貫通孔の延伸軸に沿った開口部の直径を通る断面において、前記先端部の形状は直径φの円で近似でき、比φ/φは、0.03~0.9の範囲であり、前記断面には、前記非貫通孔の側部を区画する第1の側壁が認められ、延伸軸に沿って、前記開口部から深さ方向にd(d=0.1×d)の距離にある第1の側壁上の点をAとし、前記開口部から深さ方向にd(d=0.5×d)の距離にある第1の側壁上の点をBとし、両点を結ぶ直線をLとし、直線Lと延伸軸とのなす角をテーパ角としたとき、テーパ角は、2゜~80゜の範囲にある。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)