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1. (WO2018088370) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/088370 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039982
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 06.11.2017
CIB :
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : FUJIMI INCORPORATED[JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
Inventeurs : AKIZUKI Reiko; JP
TSUCHIYA Kohsuke; JP
TANIGUCHI Megumi; JP
Mandataire : SUZUKI Sohbe; JP
TANAKA Hidetetsu; JP
YAMADA Yuki; JP
MORI Tetsuya; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21900309.11.2016JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION AND SILICON WAFER POLISHING METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法
Abrégé :
(EN) Provided are a polishing composition and a silicon wafer polishing method that are capable of providing a high degree of flatness. The polishing composition contains abrasive particles and a basic compound. These abrasive particles have a shear viscosity of at least 1.3 mPa·s at a shear rate of 1,000/s in a liquid for measuring shear viscosity having a pH of 11.3 and containing abrasive particles at a concentration of 17% by mass and tetramethyl ammonium hydroxide.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage et un procédé de polissage d'une tranche de silicium qui sont capables de conférer un degré élevé de planéité. La composition de polissage contient des particules abrasives et un composé basique. Les particules abrasives ont une viscosité de cisaillement d'au moins 1,3 mPa-s à une vitesse de cisaillement de 1 000/s dans un liquide de mesure de la viscosité de cisaillement ayant un pH de 11,3 et contenant des particules abrasives à une concentration de 17 % en poids et de l'hydroxyde de tétraméthylammonium.
(JA) 高い平坦性を実現可能な研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法を提供する。研磨用組成物は、砥粒と塩基性化合物とを含有する。そして、この砥粒は、砥粒を17質量%の濃度で含有するとともにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含有しpHが11.3であるせん断粘度測定用液の、せん断速度1000/sにおけるせん断粘度が、1.3mPa・s以上となるものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)