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1. (WO2018088301) DIODE ÉMETTRICE ULTRAVIOLET
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N° de publication : WO/2018/088301 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039552
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 01.11.2017
CIB :
H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01)
Déposants : STANLEY ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
Inventeurs : KINOSHITA, Toru; JP
Mandataire : LEXT, P.C.; Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité :
2016-22062411.11.2016JP
Titre (EN) ULTRAVIOLET EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉMETTRICE ULTRAVIOLET
(JA) 紫外発光ダイオード
Abrégé : front page image
(EN) Provided is an ultraviolet emitting diode in which an ultraviolet emitting diode chip is bonded onto a support substrate via a bonding layer. The ultraviolet emitting diode is characterized in that the ultraviolet emitting diode chip has light emitting wavelengths of from 210 to 350 nm, and that a side surface with respect to a laminated surface of the ultraviolet emitting diode chip is coated with an insulating material having a reflectance of not less than 50% with respect to the light emitting wavelengths.
(FR) L'invention concerne une diode émettrice ultraviolet dans laquelle une puce de diode émettrice ultraviolet est collée sur un substrat de support par l'intermédiaire d'une couche de liaison. La diode émettrice ultraviolet est caractérisée en ce que la puce de diode émettrice ultraviolet a des longueurs d'onde d'émission de lumière de 210 à 350 nm, et qu'une surface latérale par rapport à une surface stratifiée de la puce de diode émettrice ultraviolet est revêtue d'un matériau isolant ayant une réflectance supérieure ou égale à 50 % par rapport aux longueurs d'onde d'émission de lumière.
(JA) 支持基板上に接合層を介して紫外発光ダイオードチップが接合された紫外発光ダイオードであって、前記紫外発光ダイオードチップの発光波長が210~350nmであり、前記紫外発光ダイオードチップの積層面に対する側面が、前記発光波長に対する反射率が50%以上の絶縁材料にて被覆されていることを特徴とする紫外発光ダイオードを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)