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1. (WO2018088297) CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/088297 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039520
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 01.11.2017
CIB :
G11C 14/00 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01) ,G11C 11/412 (2006.01)
[IPC code unknown for G11C 14][IPC code unknown for G11C 11/16][IPC code unknown for G11C 11/412]
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
周藤 悠介 SHUTO, Yusuke; JP
平賀 啓三 HIRAGA, Keizo; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2016-22197714.11.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT SYSTEM
(FR) CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体回路および半導体回路システム
Abrégé :
(EN) A semiconductor circuit according to the present invention comprises: a first circuit that generates the inverted voltage for the voltage at a first node and can apply the inverted voltage to a second node; a second circuit that generates the inverted voltage for the voltage at the second node and can apply the inverted voltage to the first node; a first transistor that connects the first node to a third node when turned on; a first storage element that has a first terminal connected to the third node and a second terminal to which a control voltage is applied and is capable of being in a first resistance state or a second resistance state; a first voltage setting circuit connected to the third node and capable of setting the voltage at the third node to a voltage corresponding to the voltage at a prescribed node among the first node and the second node; and a driving part that controls the operation of the first transistor while setting a control voltage.
(FR) La présente invention concerne un circuit à semi-conducteur comprenant : un premier circuit qui génère la tension inversée pour la tension au niveau d'un premier nœud et peut appliquer la tension inversée à un second nœud ; un second circuit qui génère la tension inversée pour la tension au niveau du second nœud et peut appliquer la tension inversée au premier nœud ; un premier transistor qui relie le premier nœud à un troisième nœud lorsqu'il est allumé ; un premier élément de stockage qui a une première borne reliée au troisième nœud et une seconde borne à laquelle une tension de commande est appliquée et peut être dans un premier état de résistance ou un second état de résistance ; un premier circuit de réglage de tension relié au troisième nœud et capable de régler la tension au niveau du troisième nœud à une tension correspondant à la tension au niveau d'un nœud prescrit parmi le premier nœud et le deuxième nœud ; et une partie de commande qui commande le fonctionnement du premier transistor tout en réglant une tension de commande.
(JA) 本開示の半導体回路は、第1のノードにおける電圧の反転電圧を生成し、その反転電圧を第2のノードに印加可能な第1の回路と、第2のノードにおける電圧の反転電圧を生成し、その反転電圧を第1のノードに印加可能な第2の回路と、オン状態になることにより第1のノードを第3のノードに接続する第1のトランジスタと、第3のノードに接続された第1の端子と、制御電圧が供給された第2の端子とを有し、第1の抵抗状態または第2の抵抗状態をとりうる第1の記憶素子と、第3のノードに接続され、第3のノードの電圧を、第1のノードおよび第2のノードのうちの所定のノードの電圧に応じた電圧に設定可能な第1の電圧設定回路と、第1のトランジスタの動作を制御するとともに、制御電圧を設定する駆動部とを備える。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)