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1. (WO2018088292) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/088292 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039495
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 01.11.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,B22F 1/00 (2006.01) ,B22F 7/08 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.[JP/JP]; 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221, JP
Inventeurs : YASUDA Yusuke; JP
Mandataire : POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
2016-22068611.11.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided are: a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are bonded on a substrate via a sintered metal, wherein the semiconductor device has high bonding-reliability in a sintered-metal bonding section; and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device has a plurality of semiconductor elements bonded on a base substrate via a sintered metal. The semiconductor device is characterized in that: the base substrate comprises a first base substrate and a second base substrate adjacent to the first base substrate; the base substrate comprises a first semiconductor element bonded on the first base substrate via a first sintered metal layer and a second semiconductor element bonded on the second base substrate via a second sintered metal layer; and the first base substrate and the second base substrate are integrated together by bonding the side surfaces of the respective substrates to one another.
(FR) L'invention concerne : un dispositif à semiconducteur dans lequel une pluralité d'éléments semiconducteurs sont liés sur un substrat par l'intermédiaire d'un métal fritté, le dispositif à semiconducteur ayant une haute fiabilité de liaison dans une section de liaison de métal fritté; et un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur. Le dispositif à semiconducteur comporte une pluralité d'éléments semiconducteurs liés sur un substrat de base par l'intermédiaire d'un métal fritté. Le dispositif à semiconducteur est caractérisé en ce que : le substrat de base comprend un premier substrat de base et un second substrat de base adjacent au premier substrat de base; le substrat de base comprend un premier élément semiconducteur lié sur le premier substrat de base par l'intermédiaire d'une première couche métallique frittée et un second élément semiconducteur lié sur le second substrat de base par l'intermédiaire d'une seconde couche métallique frittée; et le premier substrat de base et le second substrat de base sont intégrés ensemble par liaison des surfaces latérales des substrats respectifs les uns aux autres.
(JA) 複数の半導体素子が焼結金属により基板上に接合される半導体装置において、焼結金属による接合部の接合信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。複数の半導体素子が焼結金属によりベース基板上に接合される半導体装置であって、前記ベース基板は、第1のベース基板と、前記第1のベース基板に隣接する第2のベース基板からなり、前記第1のベース基板上に第1の焼結金属層を介して接合された第1の半導体素子と、前記第2のベース基板上に第2の焼結金属層を介して接合された第2の半導体素子と、を備え、前記第1のベース基板と前記第2のベース基板は、各々の側面同士を接合することで一体化されていることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)