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1. (WO2018088285) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/088285    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/039472
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 01.11.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventeurs : YAMAKAWA Shinya; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-221188 14.11.2016 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present technology pertains to a solid-state imaging apparatus that can improve sensitivity in a near-infrared range through a simple process, a method for manufacturing the solid-state imaging apparatus, and an electronic device. This solid-state imaging apparatus is provided with: a first semiconductor layer on which a first photoelectric conversion unit and a first floating diffusion are formed; a second semiconductor layer on which a second photoelectric conversion unit and a second floating diffusion are formed; and a wiring layer that includes wiring electrically connected to the first and second floating diffusions. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are laminated, and the wiring layer is formed on a side opposite to the side of the first or second semiconductor layer where the first and second semiconductor layers oppose each other. The present technology can be applied to a CMOS image sensor.
(FR)La présente technologie concerne un appareil d'imagerie à semi-conducteurs qui peut améliorer la sensibilité dans une plage de proche infrarouge par l'intermédiaire d'un processus simple, un procédé de fabrication de l'appareil d'imagerie à semi-conducteurs, et un dispositif électronique. Cet appareil d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une première couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une première unité de conversion photoélectrique et une première diffusion flottante ; une seconde couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une seconde unité de conversion photoélectrique et une seconde diffusion flottante ; et une couche de câblage qui comprend un câblage connecté électriquement aux première et seconde diffusions flottantes. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice sont stratifiées, et la couche de câblage est formée sur un côté opposé au côté de la première ou de la seconde couche semi-conductrice, les première et seconde couches semi-conductrices étant opposées l'une à l'autre. La présente technologie peut être appliquée à un capteur d’images CMOS.
(JA)本技術は、より簡単なプロセスで、近赤外領域の感度を向上させることができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、第1の光電変換部および第1のフローティングディフュージョンが形成された第1の半導体層と、第2の光電変換部および第2のフローティングディフュージョンが形成された第2の半導体層と、第1および第2のフローティングディフュージョンと電気的に接続される配線を含む配線層とを備える。第1の半導体層と第2の半導体層とは積層され、配線層は、第1または第2の半導体層の、それぞれが互いに対向する側とは反対側に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)