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1. (WO2018088285) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2018/088285    International Application No.:    PCT/JP2017/039472
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 02 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/146
H04N 5/369
H04N 5/374
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: YAMAKAWA Shinya
山川 真弥
Title: APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abstract:
La présente technologie concerne un appareil d'imagerie à semi-conducteurs qui peut améliorer la sensibilité dans une plage de proche infrarouge par l'intermédiaire d'un processus simple, un procédé de fabrication de l'appareil d'imagerie à semi-conducteurs, et un dispositif électronique. Cet appareil d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une première couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une première unité de conversion photoélectrique et une première diffusion flottante; une seconde couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une seconde unité de conversion photoélectrique et une seconde diffusion flottante; et une couche de câblage qui comprend un câblage connecté électriquement aux première et seconde diffusions flottantes. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice sont stratifiées, et la couche de câblage est formée sur un côté opposé au côté de la première ou de la seconde couche semi-conductrice, les première et seconde couches semi-conductrices étant opposées l'une à l'autre. La présente technologie peut être appliquée à un capteur d'images CMOS.