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1. (WO2018088269) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/088269    International Application No.:    PCT/JP2017/039253
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/60
H01L 21/301
H01L 21/304
Applicants: LINTEC CORPORATION
リンテック株式会社
Inventors: YAMAGISHI Masanori
山岸 正憲
SHINOMIYA Keisuke
四宮 圭亮
SATO Akinori
佐藤 明徳
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur qui consiste : en une étape de formation d’une couche de résine (13) sur une surface de formation (2A) de bosses d’un organe (2) équipé de bosses sur lequel sont formées une pluralité de bosses (22) ; en une étape de retrait de la couche de résine (13) recouvrant des surfaces des bosses (22) en procédant à un traitement par plasma sur la couche de résine (13) ; et en une étape de mise en œuvre d’un traitement de lavage, avec un liquide, sur les surfaces des bosses (22) desquelles la couche de résine (13) a été retirée.