WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018088020) MÉTHODE DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/088020    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/033018
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.12.2017    
CIB :
C01B 33/021 (2006.01), H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI [JP/JP]; 2-1, Toyoda-cho, Kariya-shi, Aichi 4488671 (JP)
Inventeurs : OSHIMA, Hiroki; (JP).
MOHRI, Takashi; (JP)
Mandataire : KYORITSU INTERNATIONAL; 2-5, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-221058 11.11.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON MATERIAL
(FR) MÉTHODE DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE SILICIUM
(JA) シリコン材料の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a production method capable of producing a silicon material at excellent yield. This method for producing a silicon material includes a first heating step of performing heating, in the presence of both CaSi2 and a halogen-containing polymer, at a temperature greater than or equal to the temperature at which decomposition gas of the halogen-containing polymer is generated and lower than the carbonization temperature of the halogen-containing polymer. The method for producing a silicon material is characterized by using a heating furnace which includes a first space in which the halogen-containing polymer is disposed, a second space in which the CaSi2 is disposed, and a ceramic portion which divides the first space and the second space and has a through hole through which the decomposition gas can pass, the second space being provided in a flow channel of the decomposition gas generated from the halogen-containing polymer in the first space.
(FR)L'invention concerne une méthode de production capable de produire un matériau de silicium à un excellent rendement. Cette méthode de production d'un matériau de silicium comprend une première étape de chauffage consistant à chauffer, en présence de CaSi2 et d'un polymère contenant de l'halogène, à une température supérieure ou égale à la température à laquelle le gaz de décomposition du polymère contenant de l'halogène est généré et inférieure à la température de carbonisation du polymère contenant de l'halogène. La méthode de production d'un matériau de silicium est caractérisée par l'utilisation d'un four de chauffage qui comprend un premier espace dans lequel est disposé le polymère contenant de l'halogène, un second espace dans lequel est disposé le CaSi2 et une partie céramique qui divise le premier espace et le second espace et a un trou traversant à travers lequel le gaz de décomposition peut passer, le second espace étant disposé dans un canal d'écoulement du gaz de décomposition généré à partir du polymère contenant de l'halogène dans le premier espace.
(JA)優れた収率でシリコン材料を製造できる製造方法を提供する。 CaSi及び含ハロゲンポリマーの共存下、前記含ハロゲンポリマーの分解ガス発生温度以上かつ炭化温度未満の温度で加熱する第一加熱工程を含み、 前記含ハロゲンポリマーを配置する第一空間と、前記CaSiを配置する第二空間と、前記第一空間と前記第二空間とを区画し、前記分解ガスが通過可能な貫通孔を具備するセラミックス部と、を備え、かつ、前記第一空間の前記含ハロゲンポリマーから発生する分解ガスの流路に、前記第二空間が設けられている加熱炉を用いることを特徴とするシリコン材料の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)