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1. (WO2018088019) CAPTEUR D’HUMIDITÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication :    WO/2018/088019    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/032773
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
G01N 25/62 (2006.01), G01N 25/18 (2006.01), G01N 27/18 (2006.01)
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP)
Inventeurs : SAKUMA, Noriyuki; (JP).
NAKANO, Hiroshi; (JP).
ONOSE, Yasuo; (JP).
OHTA, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-218907 09.11.2016 JP
Titre (EN) HUMIDITY SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CAPTEUR D’HUMIDITÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 湿度センサおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This humidity sensor comprises: a semiconductor substrate 2 that has a hollow part 2a; a heater 3 that is arranged on the semiconductor substrate 2; an even heat layer 5 that is arranged above the heater 3 and has a heat conductivity equal to or higher than the heat conductivity of the heater 3; and an insulating layer 12a that is arranged between the heater 3 and the even heat layer 5. In addition, the heater 3 and the even heat layer 5 are arranged in an insulating film region above the hollow part 2a; and the even heat layer 5 is arranged so as to overlap the heater 3 when viewed in plan.
(FR)Cette invention concerne un capteur d'humidité comprenant : un substrat à semi-conducteur 2 qui comporte une partie creuse 2a ; un dispositif de chauffage 3 qui se trouve sur le substrat à semi-conducteur 2 ; une couche d'homogénéisation de la chaleur 5 qui est située au-dessus du dispositif de chauffage 3 et a une conductivité thermique supérieure ou égale à la conductivité thermique du dispositif de chauffage 3 ; et une couche isolante 12a qui est intercalée entre le dispositif de chauffage 3 et la couche d'homogénéisation de la chaleur 5. De plus, le dispositif de chauffage 3 et la couche d'homogénéisation de la chaleur 5 se trouvent dans une région de film isolant au-dessus de la partie creuse 2a ; et la couche d'homogénéisation de la chaleur 5 est agencée de façon à chevaucher le dispositif de chauffage 3 dans une vue en plan.
(JA)湿度センサは、空洞部2aを有した半導体基板2と、半導体基板2上に配置されたヒータ3と、ヒータ3の上面側に設けられ、かつヒータ3の熱伝導率以上の熱伝導率を有する熱均一層5と、ヒータ3と熱均一層5との間に配置された絶縁層12aと、を有する。さらに、空洞部2a上の絶縁膜の領域にヒータ3と熱均一層5とが配置され、熱均一層5は、平面視でヒータ3と重なるように配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)