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1. (WO2018088003) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME

Pub. No.:    WO/2018/088003    International Application No.:    PCT/JP2017/031727
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Sep 05 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/316
C23C 16/455
H01L 21/31
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: YOTSUTANI Tatsuya
四谷 達也
TERASAKI Masato
寺崎 昌人
OZAKI Takashi
尾崎 貴志
AKAE Naonori
赤江 尚徳
NISHIO Shogo
西尾 昇悟
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
Abstract:
La présente invention comprend une étape consistant à former un film d'oxyde sur un substrat par exécution, d'un nombre prescrit de fois, un cycle dans lequel une étape d'alimentation en gaz de matière première au substrat par l'intermédiaire d'une première buse et une étape d'alimentation d'un premier gaz contenant de l'oxygène vers le substrat par l'intermédiaire d'une seconde buse différente de la première buse sont effectuées de manière non simultanée. L'étape d'alimentation en gaz de matière première comprend une période au cours de laquelle un second gaz contenant de l'oxygène est fourni au substrat par l'intermédiaire d'une troisième buse différente de la première buse et de la seconde buse.