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1. (WO2018087943) MOSFET ET CIRCUIT CONVERTISSEUR DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/087943    International Application No.:    PCT/JP2017/011066
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 18 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: ARAI, Daisuke
新井 大輔
KITADA, Mizue
北田 瑞枝
Title: MOSFET ET CIRCUIT CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
Abstract:
L’invention concerne un MOSFET (100) qui comporte: un substrat semi-conducteur (110) possédant une structure de super jonction (117); et une électrode de grille (126) formée côté première surface principale du substrat semi-conducteur (110) par l’intermédiaire d’un film (124) d’isolation de grille. Dans la structure de super jonction (117), lorsque la profondeur (x) d'une position d’une profondeur prédéfinie est définie comme axe horizontal et que la densité ρ(x) de charge positive moyenne est définie comme axe vertical, cette densité ρ(x) de charge positive moyenne dans la position de profondeur prédéfinie de la structure de super jonction (117) lorsque le MOSFET est désactivé et la structure de super jonction (117) en mode de déplétion, se caractérise en ce qu’elle est représentée par une ligne courbe qui à son sommet s’incurve convexe vers la droite. Dans ce MOSFET (100) selon l’invention, même lorsque des variations apparaissent dans l’équilibre des charges proche de la grille, il est possible de réduire par rapport à l’art antérieur les variations des caractéristiques de commutation à l’état désactivé.