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1. (WO2018087896) MOSFET ET CIRCUIT CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/087896 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/083604
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 11.11.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs : ARAI, Daisuke; JP
KITADA, Mizue; JP
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MOSFET AND POWER CONVERSION CIRCUIT
(FR) MOSFET ET CIRCUIT CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
(JA) MOSFET及び電力変換回路
Abrégé : front page image
(EN) This MOSFET 100 is characterized by being provided with: a semiconductor substrate 110 provided with a super junction structure 117; and a gate electrode 126 formed on a first main surface side of the semiconductor substrate 110 with a gate insulating film 124 therebetween. The MOSFET 100 is further characterized in that, when the depths x of positions at prescribed depths of the super junction structure 117 are plotted on the horizontal axis, and the average positive charge densities ρ(x) in the positions at the prescribed depths of the super junction structure 117 are plotted on the vertical axis, the average positive charge densities ρ(x) in the positions at the prescribed depths of the super junction structure 117 when the MOSFET is turned off and the super junction structure 117 is depleted, are represented by an upwardly convex curve which rises upwards and to the right. According to this MOSFET 100, variation in the switching characteristics when turned off can be reduced in comparison to the prior art, even if there is variation in the charge balance around the gate.
(FR) L’invention concerne un MOSFET (100) qui comporte: un substrat semi-conducteur (110) possédant une structure de super jonction (117); et une électrode de grille (126) formée côté première surface principale du substrat semi-conducteur (110) par l’intermédiaire d’un film (124) d’isolation de grille. Dans la structure de super jonction (117), lorsque la profondeur (x) d'une position d’une profondeur prédéfinie est définie comme axe horizontal et que la densité ρ(x) de charge positive moyenne est définie comme axe vertical, cette densité ρ(x) de charge positive moyenne dans la position de profondeur prédéfinie de la structure de super jonction (117) lorsque le MOSFET est désactivé et la structure de super jonction (117) en mode de déplétion, se caractérise en ce qu’elle est représentée par une ligne courbe qui à son sommet s’incurve convexe vers la droite. Dans ce MOSFET (100) selon l’invention, même lorsque des variations apparaissent dans l’équilibre des charges proche de la grille, il est possible de réduire par rapport à l’art antérieur les variations des caractéristiques de commutation à l’état désactivé.
(JA) 本発明のMOSFET100は、スーパージャンクション構造117を有する半導体基体110と、半導体基体110の第1主面側にゲート絶縁膜124を介して形成されたゲート電極126とを備え、スーパージャンクション構造117における所定深さ位置の深さxを横軸とし、スーパージャンクション構造117の所定深さ位置における平均正電荷密度ρ(x)を縦軸としたときに、MOSFETをターンオフしてスーパージャンクション構造117が空乏化したときの、スーパージャンクション構造117の所定深さ位置における平均正電荷密度ρ(x)は、上に凸の右上がりの曲線で表されることを特徴とする。 本発明のMOSFET100によれば、ゲート周辺のチャージバランスのバラツキがあったとしても、ターンオフしたときのスイッチング特性のバラツキを従来よりも小さくすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)