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1. (WO2018087704) FABRICATION DE MICRO-DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) PAR TRANSFERT DE COUCHE
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N° de publication : WO/2018/087704 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/057040
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 10.11.2017
CIB :
H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : QMAT, INC.[US/US]; 2424 Walsh Avenue Santa Clara, CA 95051, US
Inventeurs : HENLEY, Francois J.; US
Données relatives à la priorité :
62/421,14911.11.2016US
62/433,18912.12.2016US
Titre (EN) MICRO-LIGHT EMITTING DIODE (LED) FABRICATION BY LAYER TRANSFER
(FR) FABRICATION DE MICRO-DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) PAR TRANSFERT DE COUCHE
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments relate to fabricating a micro-Light Emitting Diode (LED) structure utilizing layer-transferred material. In particular, high quality Gallium Nitride (GaN) is grown upon a donor substrate, utilizing techniques such as Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE). Exemplary donor substrates can comprise GaN, AlN, SiC, sapphire, and/or single crystal silicon - e.g., (111). The large relative thickness (e.g., ~10's of µm) of GaN grown in this manner, significantly reduces (e.g., to about 2-3x106cm -2) Threading Dislocation Densities (TDDs) present in the material. This allows cleaved grown GaN material to be well-suited for transfer and incorporation into a micro-LED structure operating at high brightness under low current/heat generation conditions.
(FR) Des modes de réalisation concernent la fabrication d'une structure de micro-diode électroluminescente (DEL) utilisant un matériau transféré par couche. En particulier, un nitrure de gallium (GaN) de haute qualité est mis à croître sur un substrat donneur, à l'aide de techniques telles que l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE). Des exemples de substrats donneurs peuvent comprendre du GaN, de l'AlN, du SiC, du saphir et/ou du silicium monocristallin (par exemple, (111)). La grande épaisseur relative (par exemple, ~ dizaine de µm) du GaN développé de cette manière réduit considérablement (par exemple, à environ 2-3 x 106 cm-2) les densités de dislocations traversantes (TDD) présentes dans le matériau. Ceci permet au matériau de GaN cultivé clivé d'être bien adapté pour le transfert et l'incorporation dans une structure de micro-DEL fonctionnant à une luminosité élevée dans des conditions de faible courant/génération de chaleur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)