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1. (WO2018087704) FABRICATION DE MICRO-DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) PAR TRANSFERT DE COUCHE
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N° de publication : WO/2018/087704 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/057040
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 10.11.2017
CIB :
H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
33
à semi-conducteurs, p.ex. à diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
QMAT, INC. [US/US]; 2424 Walsh Avenue Santa Clara, CA 95051, US
Inventeurs :
HENLEY, Francois J.; US
Données relatives à la priorité :
62/421,14911.11.2016US
62/433,18912.12.2016US
Titre (EN) MICRO-LIGHT EMITTING DIODE (LED) FABRICATION BY LAYER TRANSFER
(FR) FABRICATION DE MICRO-DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) PAR TRANSFERT DE COUCHE
Abrégé :
(EN) Embodiments relate to fabricating a micro-Light Emitting Diode (LED) structure utilizing layer-transferred material. In particular, high quality Gallium Nitride (GaN) is grown upon a donor substrate, utilizing techniques such as Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE). Exemplary donor substrates can comprise GaN, AlN, SiC, sapphire, and/or single crystal silicon - e.g., (111). The large relative thickness (e.g., ~10's of µm) of GaN grown in this manner, significantly reduces (e.g., to about 2-3x106cm -2) Threading Dislocation Densities (TDDs) present in the material. This allows cleaved grown GaN material to be well-suited for transfer and incorporation into a micro-LED structure operating at high brightness under low current/heat generation conditions.
(FR) Des modes de réalisation concernent la fabrication d'une structure de micro-diode électroluminescente (DEL) utilisant un matériau transféré par couche. En particulier, un nitrure de gallium (GaN) de haute qualité est mis à croître sur un substrat donneur, à l'aide de techniques telles que l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE). Des exemples de substrats donneurs peuvent comprendre du GaN, de l'AlN, du SiC, du saphir et/ou du silicium monocristallin (par exemple, (111)). La grande épaisseur relative (par exemple, ~ dizaine de µm) du GaN développé de cette manière réduit considérablement (par exemple, à environ 2-3 x 106 cm-2) les densités de dislocations traversantes (TDD) présentes dans le matériau. Ceci permet au matériau de GaN cultivé clivé d'être bien adapté pour le transfert et l'incorporation dans une structure de micro-DEL fonctionnant à une luminosité élevée dans des conditions de faible courant/génération de chaleur.
front page image
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)