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1. (WO2018087617) STRUCTURE DE CELLULE DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/087617 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/056618
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
G06N 3/04 (2006.01)
[IPC code unknown for G06N 3/04]
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
YASUDA, Takeo; JP
HOSOKAWA, Kohji; JP
ISHII, Masatoshi; JP
Mandataire :
GRAHAM, Timothy; GB
Données relatives à la priorité :
15/346,84109.11.2016US
Titre (EN) MEMORY CELL STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CELLULE DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) A memory cell structure includes a synapse memory cell including plural cell components, each of the plural cell components including a unit cell, plural write lines arranged for writing a synapse state to the synapse memory cell, each of the plural write lines being used for writing one of a first set of a predetermined number of states to a corresponding cell component by writing one of a second set of the predetermined number of states to the unit cell included in the corresponding cell component, the first set depending on the second set and a number of the unit cell included in the corresponding cell component, and a read line arranged for reading the synapse state from the synapse memory cell, the read line being used for reading one of the first set of the predetermined number of states from all of the plural cell components simultaneously.
(FR) L’invention concerne une structure de cellule de mémoire qui comprend une cellule de mémoire synaptique comprenant une pluralité de composants de cellule, chacun de la pluralité de composants de cellule comprenant une cellule unitaire, plusieurs lignes d'écriture agencées pour écrire un état de synapse dans la cellule de mémoire synaptique, chacune des multiples lignes d'écriture étant utilisée pour écrire l'un d'un premier ensemble d'un nombre prédéterminé d'états à un composant de cellule correspondant par écriture d'un premier ensemble parmi un second ensemble du nombre prédéterminé d'états à la cellule unitaire incluse dans le composant de cellule correspondant, le premier ensemble dépendant du second ensemble et un nombre de cellules unitaires incluses dans le composant de cellule correspondant, et une ligne de lecture agencée pour lire l'état synaptique à partir de la cellule de mémoire synaptique, la ligne de lecture étant utilisée pour lire l'un du premier ensemble du nombre prédéterminé d'états à partir de tous les composants de cellule simultanément.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)