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1. (WO2018086912) PROCÉDÉ DE POLISSAGE BILATÉRAL D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/086912 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/077571
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 27.10.2017
CIB :
B24B 37/08 (2012.01) ,B24B 37/22 (2012.01) ,B24B 37/24 (2012.01) ,B24D 18/00 (2006.01)
[IPC code unknown for B24B 37/08][IPC code unknown for B24B 37/22][IPC code unknown for B24B 37/24][IPC code unknown for B24D 18]
Déposants :
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventeurs :
DUTSCHKE, Vladimir; DE
Mandataire :
KILLINGER, Andreas; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 222 063.210.11.2016DE
Titre (EN) METHOD FOR TWO-SIDED POLISHING OF A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE BILATÉRAL D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) VERFAHREN ZUM BEIDSEITIGEN POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for two-sided polishing of a semiconductor wafer, wherein polishing cloths having a hardness at room temperature of at least 80° according to Shore A and having a compressibility at room temperature of less than 3 % are fastened on a top and bottom polishing plate, wherein a semiconductor wafer is polished on both sides between a top and bottom polishing cloth, and wherein, in order to fasten the polishing cloths on the top and bottom polishing plates, the polishing cloths are adhered to the top and bottom polishing plates, a cloth having a compressibility at room temperature of at least 3 % is positioned between the two adhered polishing cloths as an intermediate layer and the two polishing cloths are then pressed to each other together with the cloth located therebetween for a specific time period.
(FR) L'invention concerne un procédé de polissage bilatéral d'une plaquette de semi-conducteur. Des tissus de polissage présentant une dureté à la température ambiante d'au moins 80° selon Shore A et une compressibilité à température ambiante inférieure à 3 % sont fixés aux disques supérieur et inférieur de polissage. Une plaquette de semi-conducteur est polie des deux côtés entre le tissu supérieur et le tissu inférieur, et, pour fixer les tissus de polissage aux disques supérieur et inférieur de polissage, les tissus de polissage sont collés aux disques supérieur et inférieur de polissage, un tissu présentant une compressibilité à température ambiante d'au moins 3 % est positionné sous la forme d'une couche intermédiaire entre les deux tissus de polissage collés, puis les deux tissus de polissage entre lesquels se situe le tissu sont pressés l'un contre l'autre pendant un laps de temps donné.
(DE) Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe, wobei auf oberem und unterem Polierteller Poliertücher einer Härte bei Raumtemperatur von mindestens 80° nach Shore A und mit einer Kompressibilität bei Raumtemperatur von weniger als 3 % befestigt werden, wobei eine Halbleiterscheibe zwischen oberem und unterem Poliertuch beidseitig poliert wird, und wobei zum Befestigen der Poliertücher auf oberem und unterem Polierteller die Poliertücher auf oberes und unteres Polierteller geklebt werden, zwischen den beiden aufgeklebten Poliertüchern als Zwischenlage ein Tuch mit einer Kompressibilität bei Raumtemperatur von mindestens 3 % positioniert wird und anschließend die beiden Poliertücher mit dem zwischen ihnen befindlichen Tuch für einen bestimmten Zeitraum aneinander gepresst werden.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)