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1. (WO2018086787) COMPOSANT MOS, CIRCUIT ÉLECTRIQUE ET ENSEMBLE BATTERIE POUR VÉHICULE À MOTEUR
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N° de publication :    WO/2018/086787    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/073023
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : JOOS, Joachim; (DE).
VON EMDEN, Walter; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 222 213.9 11.11.2016 DE
Titre (DE) MOS-BAUELEMENT, ELEKTRISCHE SCHALTUNG SOWIE BATTERIEEINHEIT FÜR EIN KRAFTFAHRZEUG
(EN) MOS COMPONENT, ELECTRIC CIRCUIT, AND BATTERY UNIT FOR A MOTOR VEHICLE
(FR) COMPOSANT MOS, CIRCUIT ÉLECTRIQUE ET ENSEMBLE BATTERIE POUR VÉHICULE À MOTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein MOS-Bauelement (2) mit einem Sourcebereich (4), einem Drainbereich (6), einem Bodybereich (8), einem Kanalbereich (10) und einem Gateelement (12) vorgeschlagen, wobei der Kanalbereich (10) und das Gateelement (12) elektrisch durch eine Gesamtheit von zumindest drei Einzelschichten in Form einer ersten Einzelschicht (14), einer zweiten Einzelschicht (16) und einer dritten Einzelschicht (18) voneinander isoliert werden. Die zweite Einzelschicht (16) ist dabei derart ausgestaltet, dass sie dauerhaft elektrische Ladungen speichern kann. Die zwischen dem Kanalbereich (10) und der zweiten Einzelschicht (16) angeordnete dritte Einzelschicht (18) weist dabei eine größere äquivalente Oxiddicke auf als die zwischen der zweiten Einzelschicht (16) und dem Gateelement (12) angeordnete erste Einzelschicht (14).
(EN)The invention relates to an MOS component (2) comprising a source region (4), a drain region (6), a body region (8), a channel region (10), and a gate element (12). The channel region (10) and the gate element (12) are electrically insulated from each other by an assembly consisting of at least three individual layers in the form of a first individual layer (14), a second individual layer (16), and a third individual layer (18). The second individual layer (16) is designed to be able to permanently store electric charges. The third individual layer (18) which is arranged between the channel region (10) and the second individual layer (16) has a greater equivalent oxide thickness than the first individual layer (14) arranged between the second individual layer (16) and the gate element (12).
(FR)L'invention concerne un composant MOS (2) comprenant une zone source (4), une zone drain (6), une zone « body » (8), une zone canal (10) et un élément formant grille (12), la zone canal (10) et l'élément de grille (12) étant isolés électriquement l'un de l'autre par un ensemble d'au moins trois monocouches comprenant une première monocouche (14), une deuxième monocouche (16) et une troisième monocouche (18). La deuxième monocouche (16) est conçue de manière à pouvoir stocker les charges électriques de manière durable Une troisième monocouche (18) disposée entre la zone canal (10) et la seconde monocouche (16) présente une épaisseur d’oxyde équivalente plus grande que la première monocouche (14) disposée entre la deuxième monocouche (16) l’élément de grille (12).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)