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1. (WO2018086618) LASER À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE
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N° de publication : WO/2018/086618 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/110792
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 14.11.2017
CIB :
H01S 3/083 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01)
Déposants : SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO), CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No. 398 Ruoshui Road, SIP Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventeurs : ZHANG, Ruiying; CN
Mandataire : NANJING LI&FENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SPECIAL GENERAL PARTNERSHIP); Wang Feng, Room 1801 Jiangsu International Trade Building No. 50 Zhonghua Road, Qinhuai District Nanjing, Jiangsu 211100, CN
Données relatives à la priorité :
201610999549.514.11.2016CN
Titre (EN) NARROW LINE-WIDTH LASER
(FR) LASER À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE
(ZH) 窄线宽激光器
Abrégé : front page image
(EN) A narrow line-width laser, comprising: a passive annular waveguide (1); a passive first input/output waveguide (2), coupled to the passive annular waveguide (1); a gain and wavelength-selection unit, configured to provide gains for the entire laser, and further configured to enable a lightwave having a selected wavelength to be coupled to the passive annular waveguide (1); and a passive second input/output waveguide (5), coupled to the passive annular waveguide (1), so that the laser outputs a laser light. The narrow line-width semiconductor laser has a simple structure and has no butt-coupling loss between a gain area and a waveguide area. In addition, the narrow line-width semiconductor laser is an integrated semiconductor technology, has low component costs and high stability and reliability, has no narrow line-width limitation caused by butt-coupling, and has high severe-environment resistance. Further, based on an intra-annular loss compensation structure of the narrow line-width semiconductor laser, an annular external cavity of the narrow line-width semiconductor laser can work in a critical coupling state under different coupling coefficients, and therefore, the laser has a narrow line-width and a high side mode suppress ratio.
(FR) L'invention concerne un laser à largeur de raie étroite, comprenant : un guide d'ondes annulaire passif (1); un premier guide d'ondes passif d'entrée/sortie (2), couplé au guide d'ondes annulaire passif (1); une unité de sélection de gain et de longueur d'onde, configurée pour fournir des gains pour l'ensemble du laser, et configuré en outre pour permettre à une onde lumineuse ayant une longueur d'onde sélectionnée d'être couplée au guide d'ondes annulaire passif (1); et un second guide d'ondes d'entrée/sortie passif (5), couplé au guide d'ondes annulaire passif (1), de telle sorte que le laser délivre une lumière laser. Le laser à semiconducteur à largeur de raie étroite a une structure simple et n'a pas de perte de couplage en bout entre une zone de gain et une zone de guide d'ondes. De plus, le laser à semiconducteur à largeur de raie étroite est une technologie à semiconducteur intégrée, présente de faibles coûts de composant et une stabilité et une fiabilité élevées, n'a pas de limitation de largeur de raie étroite provoquée par un couplage en bout, et présente une résistance élevée à l'environnement sévère. En outre, sur la base d'une structure de compensation de perte intra-annulaire du laser à semiconducteur à largeur de raie étroite, une cavité externe annulaire du laser à semiconducteur à largeur de raie étroite peut fonctionner dans un état de couplage critique sous différents coefficients de couplage, et par conséquent, le laser a une largeur de raie étroite et un rapport de suppression de mode latéral élevé.
(ZH) 一种窄线宽激光器,包括:无源环形波导(1);无源的第一输入输出波导(2),与无源环形波导(1)耦合;增益选波单元,用于为整个激光器提供增益,且被设置为可使得选定波长的光波耦合进无源环形波导(1);无源的第二输入输出波导(5),与无源环形波导(1)耦合,以供激光器输出激射光。窄线宽半导体激光器结构简单,不存在增益区和波导区的对接耦合损耗,且为整体成型半导体工艺,器件的成本低,稳定性和可靠性更高,不存在对接耦合导致的窄线宽限制,耐恶劣环境性高,进一步地,基于其环内损耗补偿结构,其环形外腔在不同耦合系数下均可工作于临界耦合状态,由此使得该激光器获得窄线宽、高边模抑制比。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)