Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018086618) LASER À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE

Pub. No.:    WO/2018/086618    International Application No.:    PCT/CN2017/110792
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01S 3/083
H01S 5/10
Applicants: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO), CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventors: ZHANG, Ruiying
张瑞英
Title: LASER À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE
Abstract:
L'invention concerne un laser à largeur de raie étroite, comprenant : un guide d'ondes annulaire passif (1); un premier guide d'ondes passif d'entrée/sortie (2), couplé au guide d'ondes annulaire passif (1); une unité de sélection de gain et de longueur d'onde, configurée pour fournir des gains pour l'ensemble du laser, et configuré en outre pour permettre à une onde lumineuse ayant une longueur d'onde sélectionnée d'être couplée au guide d'ondes annulaire passif (1); et un second guide d'ondes d'entrée/sortie passif (5), couplé au guide d'ondes annulaire passif (1), de telle sorte que le laser délivre une lumière laser. Le laser à semiconducteur à largeur de raie étroite a une structure simple et n'a pas de perte de couplage en bout entre une zone de gain et une zone de guide d'ondes. De plus, le laser à semiconducteur à largeur de raie étroite est une technologie à semiconducteur intégrée, présente de faibles coûts de composant et une stabilité et une fiabilité élevées, n'a pas de limitation de largeur de raie étroite provoquée par un couplage en bout, et présente une résistance élevée à l'environnement sévère. En outre, sur la base d'une structure de compensation de perte intra-annulaire du laser à semiconducteur à largeur de raie étroite, une cavité externe annulaire du laser à semiconducteur à largeur de raie étroite peut fonctionner dans un état de couplage critique sous différents coefficients de couplage, et par conséquent, le laser a une largeur de raie étroite et un rapport de suppression de mode latéral élevé.