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1. (WO2018086380) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE III-V DE GRANDE TAILLE
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N° de publication : WO/2018/086380 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/094041
Date de publication : 17.05.2018 Date de dépôt international : 24.07.2017
CIB :
H01L 21/18 (2006.01) ,C30B 31/22 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No. 865, Changning Road, Changning District Shanghai 200050, CN
Inventeurs : OU, Xin; CN
GONG, Qian; CN
YOU, Tiangui; CN
HUANG, Kai; CN
LIN, Jiajie; CN
ZHANG, Runchun; CN
Mandataire : J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei, Room 5022 No. 335, GUO Ding Road, Yangpu District Shanghai 200433, CN
Données relatives à la priorité :
201611005213.911.11.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING LARGE-SIZED III-V HETEROGENEOUS SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE III-V DE GRANDE TAILLE
(ZH) 一种大尺寸III-V异质衬底的制备方法
Abrégé : front page image
(EN) A method for preparing a large-sized III-V heterogeneous substrate, comprising the following steps: S1: providing a III-V epitaxial structure (1) which comprises an injection surface (31); S2: performing ion implantation on the injection surface, and forming a defect layer (4) at a position of a preset depth on the III-V epitaxial structure; S3: providing a support substrate (5), and bonding the injection surface to the support substrate; and S4: peeling a part of the III-V epitaxial structure along the defect layer, so that a part of the III-V epitaxial structure is transferred to the support substrate to form an III-V film (6) on the support substrate, and the III-V heterogeneous substrate is obtained. The method for preparing a large-sized III-V heterogeneous substrate solves the problems of high process difficulty, low efficiency, and high costs in preparation of large-size III-V heterogeneous substrates.
(FR) La présente invention concerne un procédé qui permet de préparer un substrat hétérogène III-V de grande taille et qui consiste : S1 : à utiliser une structure épitaxiale III-V (1) qui comporte une surface d'injection (31); S2 : à effectuer une implantation ionique sur la surface d'injection, et à former une couche de défaut (4) à un emplacement d'une profondeur préétablie sur la structure épitaxiale III-V; S3 : à utiliser un substrat de support (5), et à lier la surface d'injection au substrat de support; S4 : à décoller une partie de la structure épitaxiale III-V le long de la couche de défaut, de telle sorte qu'une partie de la structure épitaxiale III-V est transférée au substrat de support afin de former un film III-V (6) sur le substrat de support, et à obtenir le substrat hétérogène III-V. Le procédé de préparation d'un substrat hétérogène III-V de grande taille résout les problèmes de difficulté de traitement élevée, de faible efficacité et de coûts importants dans la préparation de substrats hétérogènes III-V de grande taille.
(ZH) 一种大尺寸III-V异质衬底的制备方法,包括以下步骤:S1:提供III-V外延结构(1),III-V外延结构具有注入面(31);S2:于注入面进行离子注入,于III-V外延结构的预设深度处形成缺陷层(4);S3:提供支撑衬底(5),将注入面与支撑衬底键合;S4:沿缺陷层剥离部分III-V外延结构,使III-V外延结构的一部分转移到支撑衬底上,以在支撑衬底上形成III-V薄膜(6),获得III-V异质衬底。解决了制备大尺寸III-V异质衬底时工艺难度大、效率低、成本高的问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)