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1. (WO2018086380) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE III-V DE GRANDE TAILLE

Pub. No.:    WO/2018/086380    International Application No.:    PCT/CN2017/094041
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jul 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/18
C30B 31/22
C30B 33/02
Applicants: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventors: OU, Xin
欧欣
GONG, Qian
龚谦
YOU, Tiangui
游天桂
HUANG, Kai
黄凯
LIN, Jiajie
林家杰
ZHANG, Runchun
张润春
Title: PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE III-V DE GRANDE TAILLE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé qui permet de préparer un substrat hétérogène III-V de grande taille et qui consiste : S1 : à utiliser une structure épitaxiale III-V (1) qui comporte une surface d'injection (31); S2 : à effectuer une implantation ionique sur la surface d'injection, et à former une couche de défaut (4) à un emplacement d'une profondeur préétablie sur la structure épitaxiale III-V; S3 : à utiliser un substrat de support (5), et à lier la surface d'injection au substrat de support; S4 : à décoller une partie de la structure épitaxiale III-V le long de la couche de défaut, de telle sorte qu'une partie de la structure épitaxiale III-V est transférée au substrat de support afin de former un film III-V (6) sur le substrat de support, et à obtenir le substrat hétérogène III-V. Le procédé de préparation d'un substrat hétérogène III-V de grande taille résout les problèmes de difficulté de traitement élevée, de faible efficacité et de coûts importants dans la préparation de substrats hétérogènes III-V de grande taille.