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1. (WO2018086365) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/086365    International Application No.:    PCT/CN2017/092215
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jul 08 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/12
H01L 27/32
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
合肥鑫晟光电科技有限公司
Inventors: YUAN, Can
袁粲
LI, Yongqian
李永谦
XU, Pan
徐攀
JIAO, Chao
焦超
Title: SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un substrat de réseau, comprenant : un substrat (1); et une première électrode (2), une première couche protectrice (3), une électrode semiconductrice (4), une seconde couche protectrice (5), et une seconde électrode (6) formée sur le substrat (1) en séquence. La seconde électrode (6) et l'électrode semiconductrice (4) forment un condensateur de stockage. La première électrode (2) est située au-dessous de l'électrode semiconductrice (4) et utilisée pour amener l'électrode semiconductrice (4) à être un conducteur. Dans une direction perpendiculaire au substrat (1), l'épaisseur d'au moins une partie de la première couche protectrice (3) dans une première région d'électrode (12) est inférieure à l'épaisseur de l'autre partie de la première couche protectrice (3) à l'extérieur de la première région d'électrode (12), la première région d'électrode (12) étant une région définie par la projection de la première électrode (2) sur la première couche protectrice (3), de manière à améliorer l'impact du champ électrique de la première électrode (2) sur l'électrode semiconductrice (4) et rendre l'électrode semiconductrice (4) mieux conductrice, ce qui permet d'améliorer la capacité du condensateur de stockage à stocker et maintenir une tension sans affecter les caractéristiques de commutation d'un transistor d'attaque, et résoudre le problème selon lequel le panneau d'affichage affiche des points sombres.