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1. (WO2018085509) AMPLIFICATEUR OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS AYANT UN CŒUR ACTIF ET UNE GAINE DOPÉE DANS UNE SEULE PUCE
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N° de publication : WO/2018/085509 N° de la demande internationale : PCT/US2017/059675
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 02.11.2017
CIB :
H01S 3/063 (2006.01) ,H01S 3/0933 (2006.01) ,H01S 3/16 (2006.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
06
Structure ou forme du milieu actif
063
Lasers à guide d'ondes, p.ex. amplificateurs laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
09
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
091
utilisant le pompage optique
0915
par de la lumière incohérente
0933
produite par un semi-conducteur, p.ex. une diode émettrice de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
14
caractérisés par le matériau utilisé comme milieu actif
16
Matériaux solides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
Déposants :
DICON FIBEROPTICS, INC. [US/US]; 1689 Regatta Boulevard Richmond, California 94804, US
Inventeurs :
LEE, Ho-Shang; US
Mandataire :
CLEVELAND, Michael G.; US
Données relatives à la priorité :
15/344,73007.11.2016US
15/702,06412.09.2017US
Titre (EN) SOLID-STATE OPTICAL AMPLIFIER HAVING AN ACTIVE CORE AND DOPED CLADDING IN A SINGLE CHIP
(FR) AMPLIFICATEUR OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS AYANT UN CŒUR ACTIF ET UNE GAINE DOPÉE DANS UNE SEULE PUCE
Abrégé :
(EN) A solid-state optical amplifier is described, having an active core and doped cladding in a single chip. An active optical core runs through a doped cladding in a structure formed on a substrate. A light emitting structure, such as an LED, is formed within and/or adjacent to the optical core. The cladding is doped, for example, with erbium or other rare-earth elements or metals. Several exemplary devices and methods of their formation are given.
(FR) L'invention concerne un amplificateur optique à semi-conducteurs ayant un cœur actif et une gaine dopée dans une seule puce. Un cœur optique actif passe à travers une gaine dopée dans une structure formée sur un substrat. Une structure électroluminescente, telle qu'une DEL, est formée à l'intérieur et/ou adjacente au cœur optique. La gaine est dopée, par exemple, avec de l'erbium ou d'autres éléments ou métaux de terres rares. Plusieurs dispositifs donnés à titre d'exemple et des procédés de leurs formation sont donnés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)