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1. (WO2018084928) STRUCTURES D'EMPILEMENT DE MÉMOIRE EN FORME D'AMPOULE POUR UN CONTACT DE SOURCE DIRECTE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL

Pub. No.:    WO/2018/084928    International Application No.:    PCT/US2017/050367
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 08 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/11582
H01L 27/11573
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: YU, Jixin
KITAMURA, Kento
ZHANG, Tong
GE, Chun
ZHANG, Yanli
SHIMIZU, Satoshi
KASAGI, Yasuo
OGAWA, Hiroyuki
MAO, Daxin
YAMAGUCHI, Kensuke
ALSMEIER, Johann
KAI, James
MATSUMOTO, Kazuyo
MASAMORI, Yohei
Title: STRUCTURES D'EMPILEMENT DE MÉMOIRE EN FORME D'AMPOULE POUR UN CONTACT DE SOURCE DIRECTE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL
Abstract:
La zone de contact entre une structure de sangle source d'une couche source enterrée et des canaux semiconducteurs à l'intérieur de structures de mémoire peuvent être augmentés par expansion latérale d'un volume de niveau source dans lequel les structures d'empilement de mémoire sont formées. Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne des socles semiconducteurs sacrificiels qui peuvent être formés dans des ouvertures de mémoire de niveau source avant la formation d'un empilement alterné verticalement de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel. Des ouvertures de mémoire peuvent comprendre des parties bombées formées par retrait des socles semiconducteurs sacrificiels. Des structures d'empilement de mémoire peuvent être formées avec une plus grande surface de paroi latérale dans les parties bombées pour fournir une zone de contact plus grande avec la structure de sangle source. En variante, des parties inférieures d'ouvertures de mémoire peuvent être étendues sélectivement vers des parties supérieures pendant, ou après, la formation des ouvertures de mémoire pour fournir des parties bombées et pour augmenter la zone de contact avec la structure de sangle source.