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1. (WO2018084602) CAPTEUR DE DÉTECTION DE GAZ
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N° de publication : WO/2018/084602 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/012334
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 02.11.2017
CIB :
G01N 27/414 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
주식회사 엘지화학 LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
고려대학교 산학협력단 KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION [KR/KR]; 서울시 성북구 안암로 145 145, Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, KR
Inventeurs :
정광섭 JEONG, Kwang Seob; KR
신항범 SHIN, Hang Beum; KR
최동선 CHOI, Dong Sun; KR
윤빛나 YOON, Bit Na; KR
정주연 JEONG, Ju Yeon; KR
Mandataire :
특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM; 서울시 강남구 역삼로 3길 11 광성빌딩 신관 5층 5th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg., 11, Yeoksam-ro 3-gil, Gangnam-gu, Seoul 06242, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-014484302.11.2016KR
10-2017-014514702.11.2017KR
Titre (EN) GAS DETECTION SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DÉTECTION DE GAZ
(KO) 가스감지센서
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a gas detection sensor. Provided according to one aspect of the present invention is a gas detection sensor comprising: a substrate; a gate electrode provided on the substrate; an insulation layer provided on the gate electrode; a source electrode and a drain electrode provided on the insulation layer; an n-type channel provided between the source electrode and the drain electrode; and a quantum dot layer provided on the n-type channel and provided so as to have electronic transition energy capable of resonating with the vibration energy of target gas molecules.
(FR) La présente invention porte sur un capteur de détection de gaz. Selon un aspect, la présente invention concerne un capteur de détection de gaz comprenant : un substrat; une électrode de grille disposée sur le substrat; une couche d'isolation disposée sur l'électrode de grille; une électrode de source et une électrode de drain disposées sur la couche d'isolation; un canal de type n disposé entre l'électrode de source et l'électrode de drain; et une couche de points quantiques disposée sur le canal de type n et disposé de manière à avoir une énergie de transition électronique pouvant résonner avec l'énergie de vibration de molécules de gaz cibles.
(KO) 본 발명은 가스감지센서에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판과, 기판 상에 마련된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 마련된 절연층과, 절연층 상에 각각 마련된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 마련된 n-type 채널, 및 n-type 채널 상에 마련되고, 타겟 가스 분자의 진동 에너지와 공명이 일어날 수 있는 전자 전이 에너지를 갖도록 마련된 양자점층을 포함하는 가스감지센서가 제공된다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)