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1. (WO2018084409) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE À BASSE TEMPÉRATURE
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N° de publication : WO/2018/084409 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/008855
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 14.08.2017
CIB :
H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants :
주식회사 유진테크 EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 용인시 처인구 양지면 추계로 42 42, Chugye-ro, Yangji-myeon, Cheoin-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 17156, KR
Inventeurs :
유두열 RYU, Doo Yeol; KR
신승우 SHIN, Seung Woo; KR
유차영 YOO, Cha Young; KR
정우덕 JUNG, Woo Duck; KR
최호민 CHOI, Ho Min; KR
오완석 OH, Wan Suk; KR
김희식 KIM, Hui Sik; KR
김은호 KIM, Eun Ho; KR
박성진 PARK, Seong Jin; KR
Mandataire :
정성진 JEONG, Seong-Jin; 서울특별시 서초구 사평대로 70 (반포동, 우주빌딩 4층) (4F, UZU Bldg. Banpo-dong) 70, Sapyeong-daero Seocho-gu Seoul 06575, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-014604903.11.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE À BASSE TEMPÉRATURE
(KO) 저온 에피택셜층 형성방법
Abrégé :
(EN) A method for forming a low-temperature epitaxial layer according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: transferring a substrate to an epitaxial chamber; and forming an epitaxial layer on the substrate by performing an epitaxial process for the substrate, wherein the epitaxial process includes the steps of: heating the substrate at the temperature of 700 degrees or less and forming a first epitaxial layer by injecting silicon gas into the epitaxial chamber in a state in which the temperature of the inside of the epitaxial chamber is adjusted at 300 Torr or less; stopping the injection of the silicon gas and injecting purge gas into the epitaxial chamber so as to primarily purge the inside of the epitaxial chamber; heating the substrate at the temperature of 700 degrees or less and injecting the silicon gas into the epitaxial chamber in a state in which the temperature of the inside of the epitaxial chamber is adjusted at 300 Torr or less so as to form a second epitaxial layer; and stopping the injection of the silicon gas and injecting the purge gas into the epitaxial chamber so as to secondarily purge the inside of the epitaxial chamber.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un procédé de formation d'une couche épitaxiale à basse température comprend les étapes consistant à transférer un substrat vers une chambre épitaxiale puis à former une couche épitaxiale sur le substrat par réalisation d'un processus épitaxial destiné au substrat, le procédé épitaxial comprenant les étapes consistant : à chauffer le substrat à une température inférieure ou égale à 700 degrés puis à former une première couche épitaxiale par injection de gaz de silicium dans la chambre épitaxiale dans un état dans lequel la température intérieure de la chambre épitaxiale est réglée à 300 Torr ou moins ; à arrêter l'injection du gaz de silicium puis à injecter un gaz de purge dans la chambre épitaxiale de façon à purger dans un premier temps l'intérieur de la chambre épitaxiale ; à chauffer le substrat à une température inférieure ou égale à 700 degrés puis à injecter le gaz de silicium dans la chambre épitaxiale dans un état dans lequel la température intérieure de la chambre épitaxiale est réglée à 300 Torr ou moins de façon à former une seconde couche épitaxiale ; et à arrêter l'injection du gaz de silicium puis à injecter le gaz de purge dans la chambre épitaxiale de façon à purger dans un second temps l'intérieur de la chambre épitaxiale.
(KO) 본 발명의 일 실시예에 따르면, 저온 에피택셜층 형성방법은, 기판을 에피택셜 챔버로 이송하는 단계; 그리고 상기 기판에 대한 에피택셜 공정을 수행하여 상기 기판에 에피택셜층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 에피택셜 공정은, 상기 기판을 700도 이하로 가열하고 상기 에피택셜 챔버의 내부를 300Torr 이하로 조절한 상태에서 상기 에피택셜 챔버의 내부에 실리콘 가스를 주입하여 제 1 에피택셜층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 가스의 주입을 중단하고 상기 에피택셜 챔버의 내부에 퍼지 가스를 주입하여 상기 에피택셜 챔버의 내부를 1차 퍼지하는 단계; 상기기판을 700도 이하로 가열하고 상기 에피택셜 챔버의 내부를 300Torr 이하로 조절한 상태에서 상기 에피택셜 챔버의 내부에 실리콘 가스를 주입하여 제2 에피택셜층을 형성하는 단계; 그리고 상기 실리콘 가스의 주입을 중단하고 상기 에피택셜 챔버의 내부에 퍼지 가스를 주입하여 상기 에피택셜 챔버의 내부를 2차 퍼지하는 단계를 포함한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)