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1. (WO2018084302) LIQUIDE DE PRÉPARATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS
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N° de publication : WO/2018/084302 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040007
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 07.11.2017
CIB :
G03F 7/26 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
12
des alcools ou des phénols monohydriques
16
des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18
avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32
Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
大松 禎 OOMATSU Tadashi; JP
Mandataire :
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21754407.11.2016JP
2017-05336317.03.2017JP
2017-21289302.11.2017JP
Titre (EN) PROCESSING FLUID AND PATTERN FORMATION METHOD
(FR) LIQUIDE DE PRÉPARATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS
(JA) 処理液及びパターン形成方法
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of providing a processing fluid and a pattern formation method for resist film patterning with which it is possible to simultaneously suppress of pattern defects and improve bridge defects in a pattern. In this pattern formation method, a pattern is formed by forming a resist film on a substrate using a resist composition that includes at least a photoacid generator, a solvent, and a resin in which polarity is increased by the action of an acid, and after the resist film is exposed, processing the exposed resist film using a processing fluid, wherein the processing fluid includes two or more types of organic solvent, the boiling point of at least one of the organic solvents among the two or more types of organic solvent is 120-155°C, the content of the organic solvent having a boiling point of 120-155°C is 45 mass% or more in relation to the total mass of the processing fluid, and the difference between the boiling point of the organic solvent having the highest boiling point and the boiling point of the organic solvent having the lowest boiling point among the two or more types of organic solvent is less than 49°C.
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir un fluide de traitement et un procédé de formation de motif pour la formation de motifs de film de réserve avec lesquels il est possible de supprimer simultanément des défauts de motif et d'améliorer les défauts de pont dans un motif. Dans ce procédé de formation de motif, un motif est formé par formation d'un film de réserve sur un substrat à l'aide d'une composition de réserve qui comprend au moins un générateur de photoacide, un solvant, et une résine dans laquelle la polarité est augmentée par l'action d'un acide, et après que le film de réserve est exposé, le traitement du film de réserve exposé à l'aide d'un fluide de traitement, le fluide de traitement comprenant au moins deux types de solvant organique, le point d'ébullition d'au moins l'un des solvants organiques parmi les deux types ou plus de solvant organique est de 120 à 155 °C, la teneur en solvant organique ayant un point d'ébullition de 120 à 155 °C est d'au moins 45 % en masse par rapport à la masse totale du fluide de préparation, et la différence entre le point d'ébullition du solvant organique ayant le point d'ébullition le plus élevé et le point d'ébullition du solvant organique ayant le point d'ébullition le plus bas parmi lesdits deux types de solvant organique est inférieure à 49° C.
(JA) 本発明の課題は、パターン上の欠陥発生の抑制とパターンのブリッジ欠陥の改良とを同時に達成できるレジスト膜パターニング用の処理液及びパターン形成方法の提供である。本発明のパターン形成方法は、酸の作用により極性が増大する樹脂と、光酸発生剤と、溶剤とを少なくとも含むレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光した後、露光されたレジスト膜を処理液で処理することによってパターンを形成する、パターン形成方法であって、処理液が2種類以上の有機溶剤を含み、2種類以上の有機溶剤のうち少なくとも一種の有機溶剤の沸点が120~155℃であり、沸点が120~155℃である有機溶剤の含有量が、処理液全質量に対して、45質量%以上であり、2種類以上の有機溶剤のうち最も沸点が高い有機溶剤の沸点と、最も沸点が低い有機溶剤の沸点との差が、49℃より小さい。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)