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1. (WO2018084285) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS, SYSTÈME D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT HYDROPHILE
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N° de publication :    WO/2018/084285    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/039939
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 06.11.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), B23K 20/00 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : BONDTECH CO., LTD. [JP/JP]; 77, Kisshoin-ishiharanishi-machi, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018366 (JP).
SUGA Tadatomo [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : SUGA Tadatomo; (JP).
YAMAUCHI Akira; (JP)
Mandataire : KIMURA Mitsuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-217582 07.11.2016 JP
Titre (EN) SUBSTRATE JOINING METHOD, SUBSTRATE JOINING SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING HYDROPHILIC TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS, SYSTÈME D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT HYDROPHILE
(JA) 基板接合方法、基板接合システムおよび親水化処理装置の制御方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a substrate joining method for joining two substrates, the method comprising: a hydrophilic treatment step for hydrophilizing at least one of the joint surfaces of the two substrates, the joint surfaces being joined to each other; and a joining step for joining the two substrate after the hydrophilic treatment step. The hydrophilic treatment step comprises: a step for carrying out, on the joint surface of the substrate, a N2 RIE treatment of carrying out reactive ion etching using N2 gas; and a step for carrying out an N2 radical treatment of irradiating the joint surface of the substrate with N2 radical after the step for carrying out the N2 RIE treatment.
(FR)L'invention concerne un procédé d'assemblage de substrats permettant d'assembler deux substrats, le procédé comprenant : une étape de traitement hydrophile consistant à hydrophiliser au moins l'une des surfaces d'assemblage des deux substrats, les surfaces d'assemblage étant assemblées l'une à l'autre ; et une étape d'assemblage consistant à assembler les deux substrats après l'étape de traitement hydrophile. L'étape de traitement hydrophile comprend : une étape d'exécution, sur la surface d'assemblage du substrat, d'un traitement de RIE au N2 consistant à exécuter une attaque par ions réactifs à l'aide d'un gaz de N2 ; et une étape d'exécution d'un traitement radicalaire au N2 consistant à exposer la surface d'assemblage du substrat à un radical N2 après l'étape d'exécution du traitement de RIE au N2.
(JA)基板接合方法は、2つの基板を接合する基板接合方法であって、2つの基板それぞれの互いに接合される接合面の少なくとも一方を親水化する親水化処理工程と、親水化処理工程の後、2つの基板を接合する接合工程と、を含む。親水化処理工程は、基板の接合面に対して、Nガスを用いた反応性イオンエッチングを行うNRIE処理を行う工程と、NRIE処理を行う工程の後、基板の接合面に対して、Nラジカルを照射するNラジカル処理を行う工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)