WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018084159) CELLULE SOLAIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/084159 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039455
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION[JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventeurs : YOSHIKAWA, Kunta; JP
Mandataire : SHINTAKU, Masato; JP
YOSHIMOTO, Tsutomu; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21556202.11.2016JP
Titre (EN) SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
Abrégé : front page image
(EN) A solar cell (105) is provided with a rectangular crystal silicon substrate (15). The crystal silicon substrate has a rectangular first main surface (81) and a rectangular second main surface (82). The first main surface and/or the second main surface is coated by a thin film. The thin film is formed so as to extend onto a first side surface (91), which is one of the side surfaces connecting a long side of the first main surface and a long side of the second main surface, and so as to not extend onto a second side surface (92), which is the other side surface. An oxide film (50) of silicon is provided across the whole of the surface of the second main surface in the thickness direction of the silicon substrate.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire (105) pourvue d'un substrat rectangulaire en silicium cristallin (15). Le substrat en silicium cristallin comporte une première surface principale rectangulaire (81) et une seconde surface principale rectangulaire (82). La première surface principale et/ou la seconde surface principale sont revêtues d'un film mince. Le film mince est formé de façon à s'étendre sur une première surface latérale (91), qui est l'une des surfaces latérales reliant un côté long de la première surface principale et un côté long de la seconde surface principale, et de façon à ne pas s'étendre sur une seconde surface latérale (92), qui constitue l'autre surface latérale. Un film d'oxyde (50) de silicium est disposé sur toute la surface de la seconde surface principale dans la direction de l'épaisseur du substrat en silicium.
(JA) 太陽電池(105)は、長方形状の結晶シリコン基板(15)を備える。結晶シリコン基板は、長方形状の第一主面(81)、および長方形状の第二主面(82)を有する。第一主面および第二主面の少なくとも一方は、薄膜により被覆されている。この薄膜は、第一主面の長辺と第二主面の長辺とを接続する側面の一方である第一側面(91)に回り込んで形成されており、他方の側面である第二側面(92)には回り込んでいない。第二側面の表面には、結晶シリコン基板の厚み方向の全体にシリコンの酸化膜(50)が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)